[发明专利]槽栅结构的N型LDMOS器件及工艺方法

权利要求书

1.一种槽栅结构的N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型外延层中具有沟槽，沟槽内壁附着栅氧化层并填充多晶硅形成所述LDMOS器件的多晶硅栅极；所述LDMOS器件的源区位于P阱中，且P阱中还具有重掺杂P型区；衬底表面具有场氧化层；其特征在于：所述的N型外延层之上还具有P型外延层，所述P阱位于P型外延层中，深接触孔穿通P型外延层底部位于N型外延层中。

2.如权利要求1所述的槽栅结构的N型LDMOS器件，其特征在于：所述P型外延层厚度为3～10μm。

3.制造如权利要求1所述的槽栅结构的N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：

第1步，在P型衬底上形成N型外延层和P型外延层；

第2步，在P型外延层中离子注入形成P阱；

第3步，刻蚀形成沟槽，并通过热氧化的方法在沟槽内形成栅氧化层，淀积多晶硅后刻蚀形成多晶硅栅极；

第4步，P阱中离子注入形成源区和重掺杂P型区；

第5步，硅衬底表面形成场氧化层，进行接触孔及深接触孔的制作。

4.如权利要求3所述的槽栅结构的N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述第1步，所述衬底为电阻率范围为0.007～0.013Ω·cm的P型衬底。

5.如权利要求3所述的槽栅结构的N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述第5步，深接触孔穿通P型外延层，其底部位于N型外延层中。