[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，具备：半导体激光元件；盖，其覆盖所述半导体激光元件，且具备用于使来自所述半导体激光元件的光通过的贯通孔；以及波长转换构件，其设于所述盖的贯通孔内，且发出波长与来自所述半导体激光元件的光的波长不同的光，

其特征在于，

所述盖具备由陶瓷构成的第一构件和由金属材料构成的第二构件，

所述贯通孔具有贯穿所述第一构件的第一贯通孔和贯穿所述第二构件的第二贯通孔，

所述波长转换构件设置于所述第二构件，

所述波长转换构件以整体收纳在所述贯通孔内的方式设置，

所述第二构件设置在比所述第一构件靠所述半导体激光元件侧的位置。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第二贯通孔的开口直径小于所述第一贯通孔的开口直径，

所述波长转换构件的下表面与所述第二构件的上表面接触。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第一贯通孔与所述第二贯通孔形成为随着从所述半导体激光元件侧朝向所述盖外而开口直径变大，所述第一贯通孔与所述第二贯通孔中至少任一方的内壁面形成为倾斜面。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

在所述第二贯通孔的内壁面上设有由陶瓷构成的第三构件。

5.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，

在所述第二贯通孔的内壁面上设有由陶瓷构成的第三构件。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述陶瓷对来自所述半导体激光元件的光的反射率为70％以上。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述波长转换构件隔着金属构件而设置于所述第二构件。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述金属材料的热传导率为100W·m^-1·K^-1以上。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述波长转换构件为双层构造，

所述双层构造中的各层含有荧光体，

所述波长转换构件的侧面全部设置在所述第二构件上。