[发明专利]支撑结构和形成支撑结构的方法有效

专利信息
申请号: 201510098410.9 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN104902408B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: A·德厄;R·加布尔;U·克伦拜恩 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H04R19/00 分类号: H04R19/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 支撑 结构 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

载体;

悬置结构;

保持结构,将所述悬置结构保持至所述载体,所述保持结构包括侧壁,所述侧壁具有从所述载体的顶部表面延伸至所述保持结构的锥形端部的弯曲部分,所述锥形端部附接至所述悬置结构的底部表面,其中所述保持结构在组成上渐变并且还包括第一材料和与所述第一材料不同的第二材料,所述第二材料扩散进入所述第一材料,其中在所述第一材料中的所述第二材料的浓度根据所述第一材料内相对于所述载体的位置而连续地变化;

其中所述载体的顶部表面面向所述悬置结构,所述保持结构的弯曲部分具有凹陷形状,以及所述保持结构的锥形端部物理地连接至所述悬置结构;以及

其中所述悬置结构的底部表面的至少一部分不具有所述保持结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述保持结构的底部表面固定至所述载体的顶部表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述悬置结构的底部表面固定至所述保持结构的顶部表面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述载体包括半导体衬底。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述载体包括绝缘体上硅衬底。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述载体包括玻璃衬底。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述保持结构包括具有改变组成的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述悬置结构包括隔膜材料。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,所述隔膜材料包括半导体隔膜材料。

10.一种半导体装置,包括:

载体,包括空腔;

悬置结构;

保持结构,将所述悬置结构保持至所述载体,所述保持结构包括侧壁,所述侧壁具有从所述载体的顶部表面延伸至所述保持结构的锥形端部的弯曲部分,

其中所述载体的顶部表面面对所述悬置结构;

其中所述保持结构在组成上渐变;以及

其中具有弯曲部分的所述侧壁侧向上被至少部分地布置在所述空腔外侧。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,所述保持结构的底部表面固定至所述载体的顶部表面;以及其中所述悬置结构的底部表面固定至所述保持结构的顶部表面。

12.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,所述载体包括半导体衬底。

13.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,所述悬置结构包括隔膜材料。

14.根据权利要求13所述的半导体装置,其中,所述隔膜材料包括半导体隔膜材料。

15.一种形成结构的方法,所述方法包括:

在载体之上形成悬置结构;

形成保持结构,所述保持结构将所述悬置结构保持至所述载体,所述保持结构包括侧壁,所述侧壁具有从所述载体的顶部表面延伸至所述保持结构的锥形端部的弯曲部分,所述锥形端部附接至所述悬置结构的底部表面,其中所述保持结构在组成上渐变并且还包括第一材料和与所述第一材料不同的第二材料,所述第二材料扩散进入所述第一材料,其中在所述第一材料中的所述第二材料的浓度根据所述第一材料内相对于所述载体的位置而连续地变化;

其中所述载体的顶部表面面向所述悬置结构,所述保持结构的弯曲部分具有凹陷形状,以及所述保持结构的锥形端部物理地连接至所述悬置结构;

其中所述悬置结构的底部表面的至少一部分不具有所述保持结构。

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