[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极与上述第2电极之间，具有在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上碳空位密度变低的区域；

第1导电型的第2半导体层，设在上述第1电极与上述第1半导体层之间，杂质元素浓度比上述第1半导体层高；以及

第2导电型的多个第3半导体层，设在上述第2电极与上述第1半导体层之间，

上述碳空位密度变低的区域为，从相邻的上述第3半导体层所夹着的上述第1半导体层的表面起到比上述第3半导体层深的位置。

2.如权利要求1记载的半导体装置，

相邻的上述第3半导体层所夹着的上述第1半导体层与上述第2电极之间设有绝缘层。

3.如权利要求1或2记载的半导体装置，

上述多个第3半导体层在与上述第1方向交叉的方向上延伸。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以下工序：

准备第1导电型的第1半导体层和相接于上述第1半导体层且杂质元素浓度比上述第1半导体层高的第1导电型的第2半导体层的工序；

在与上述第2半导体层相反侧的上述第1半导体层的表面，将第2导电型杂质元素选择性地导入而形成与上述第1半导体层相接的第2导电型的多个第3半导体层的工序；以及

在氧化气氛中对上述第1半导体层的上述表面以及上述多个第3半导体层的表面进行加热，从而形成与上述第1半导体层以及上述多个第3半导体层相接的氧化物层，并且使碳从相邻的上述第3半导体层所夹着的上述第1半导体层的上述表面朝向上述第2半导体层扩散到比上述第3半导体层深的位置，形成碳空位密度变低的区域的工序，

上述碳空位密度变低的区域为，从相邻的上述第3半导体层所夹着的上述第1半导体层的上述表面起到比上述第3半导体层深的位置。

5.如权利要求4记载的半导体装置的制造方法，

还具备在使上述碳扩散的工序后使上述多个第3半导体层从上述氧化物层露出的工序。