[发明专利]基板载置装置和基板处理装置有效
| 申请号： | 201510093847.3 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104900569B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 伊藤毅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板载置 装置 处理 | ||
1.一种基板载置装置，其特征在于，包括：
载置台，其具有用于载置具有0.5毫米以下厚度尺寸的基板的载置面；
多个支承销，其设置成在上下方向上贯通所述载置台，从下表面侧支承基板；和
升降机构，其使所述多个支承销在所述载置面的上方侧支承基板的支承位置和该载置面的下方侧的退避位置之间升降，
所述多个支承销的至少一个，在前端部设置有从下表面侧支承基板时产生弹性变形而与基板的接触面积变大的弹性部件，
与设置在支承所述基板的周缘部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度相比，设置在支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度较低，以使得所述基板在中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态下支承基板。
2.如权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于：
所述基板是周长为4米以上的方形基板。
3.如权利要求1或2所述的基板载置装置，其特征在于：
所述基板是玻璃基板。
4.一种基板载置装置，其特征在于，包括：
载置台，其具有用于载置具有0.5毫米以下厚度尺寸的基板的载置面；
多个支承销，其设置成在上下方向上贯通所述载置台，从下表面侧支承基板；和
升降机构，其使所述多个支承销在所述载置面的上方侧支承基板的支承位置和该载置面的下方侧的退避位置之间升降，
所述多个支承销的至少一个，在前端部设置有从下表面侧支承基板时产生弹性变形而与基板的接触面积变大的弹性部件，
所述支承位置设定成，与支承所述基板的周缘部侧的支承销的前端部的高度位置相比，支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的高度位置较低，以使得所述基板在中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态下支承基板，
所述弹性部件至少设置在配置于基板的最靠周缘部侧的支承销上，
与设置在支承所述基板的周缘部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度相比，设置在支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度较高。
5.如权利要求4所述的基板载置装置，其特征在于：
所述基板是周长为4米以上的方形基板。
6.如权利要求4所述的基板载置装置，其特征在于：
所述配置于基板的最靠周缘部侧的支承销配置在与基板的外周缘的距离为30毫米以内的位置。
7.如权利要求4～6中任一项所述的基板载置装置，其特征在于：
所述基板是玻璃基板。
8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的基板载置装置；
收纳所述基板载置装置的载置台的处理容器；和
对所述处理容器供给基板的处理气体的处理气体供给部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
