[发明专利]钪铝合金溅镀目标

说明书

本申请涉及钪铝合金溅镀目标。一种溅镀目标包括钪铝合金，其中所述合金具有3‑10原子百分数的钪和90‑97原子百分数的铝的浓度。所述溅镀目标可用于制造例如声谐振器的设备的压电层。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据37 C.F.R,§ 1.53(b)规定是以下共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案：2013年11月27日申请的第14/092,026号、2013年11月27日申请的第14/092,793号和2013年11月27日申请的第14/092,077号，以上各者中的每一者根据37 C.F.R.§1.53(b)规定是2013年1月31日申请的第13/955,774号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案，所述第13/955,774号美国专利申请案是2013年2月28日申请的第13/781,491号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案，所述第13/781,491号美国专利申请案是2012年10月29日申请的第13/663,449号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案，以上各者整体以引用方式并入本文中。第13/955,774号美国专利申请案根据37 C.F.R.§1.53(b)规定也是2011年8月12日申请的第13/208,883号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案，所述第13/208,883号美国专利申请案是2011年3月29日申请的第13/074,262号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案，以上各者整体以引用的方式并入本文中。第14/092,793号美国专利申请案根据37 C.F.R.§ 1.53(b)规定也是2013年2月14日申请的第13/766,993号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案，所述第13/766,993号美国专利申请案根据37 C.F.R.§ 1.53(b)规定是2012年10月25日申请的第13/660,941号美国专利申请案的部分接续申请案，以上各者整体以引用的方式并入本文中。第14/092,077号美国专利申请案根据37 C.F.R.§ 1.53(b)规定也是2013年2月14日申请的第13/767,754号美国专利申请案的部分接续申请案。

技术领域

本申请涉及电子装置，更具体来说涉及谐振器。

背景技术

声谐振器可用于实施各种电子应用中的信号处理功能。举例来说，一些蜂窝式电话和其它通信装置使用声谐振器来实施用于所传输和/或所接收信号的频率滤波器。可根据不同应用来使用若干不同类型的声谐振器，其中实例包含体声波(BAW)谐振器，例如薄膜体声谐振器(FBAR)、耦合谐振器滤波器(CRF)、堆叠体声谐振器(SBAR)、双体声谐振器(DBAR)和固态安装型谐振器(SMR)。

典型声谐振器包括夹于被称为声堆叠的结构中的两个板状电极之间的压电材料层。在于电极之间施加输入电信号的情况下，互反或反向压电效应致使声堆叠取决于压电材料的极化而机械膨胀或收缩。当输入电信号随时间的过去而变化时，声堆叠的膨胀和收缩产生在各个方向上传播穿过声谐振器且通过压电效应而被转换成输出电信号的声波(或模)。一些声波跨越声堆叠达成谐振，其中谐振频率由例如声堆叠的材料、尺寸和操作条件的因素来确定。声谐振器的这些和其它机械特性确定其频率响应。

用于评估声谐振器的性能的一个量度是其机电耦合系数(kt²)，所述机电耦合系数指示电极与压电材料之间的能量转移的效率。在其它各项相同的情况下，具有较高kt²的声谐振器大体上被视为具有优于具有较低kt²的声谐振器的性能。因此，在例如4G和LTE应用的高性能无线应用中使用具有较高kt²水平的声谐振器是大体上所要的。

声谐振器的kt²受若干因素的影响，例如压电材料与电极的尺寸、组合物和结构性质。这些因素反过来受用于制造声谐振器的材料和制造过程的影响。举例来说，一种改善kt²的方法是将钪和/或例如钇、铒等的其它稀土元素包含于声谐振器的压电材料中。可从实例声谐振器的以下操作原理来理解归因于钪的改善。