[发明专利]钪铝合金溅镀目标有效
| 申请号: | 201510093300.3 | 申请日: | 2015-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN104883149B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 克里斯·冯;叶堂水;约翰·克伊;凯文·J·格伦纳;菲尔·尼克尔 | 申请(专利权)人: | 安华高科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;C23C14/34;C22C21/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铝合金 目标 | ||
1.一种制造溅镀目标的方法,其包括:
形成钪铝合金,所述钪铝合金包括3-10原子百分数的钪和90-97原子百分数的铝;以及
使所述钪铝合金为用作等离子体沉积装备中的合金靶溅镀目标作准备。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括测量所述钪铝合金的组合物、比较所述所测量的组合物与所要组合物及根据所述比较来调整后续溅镀目标的组合物。
3.根据权利要求2所述的方法,其中测量所述组合物包括执行感应耦合等离子体ICP质谱分析法MS。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括测量所述钪铝合金的微结构、比较所述所测量的微结构与所要微结构及根据所述比较来调整后续溅镀目标的微结构。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述所测量的微结构包括在所述溅镀目标内的ScAl3的粒度。
6.根据权利要求5所述的方法,其中调整所述微结构包括修改过程参数以将平均粒度减小到小于40μm。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括测量所述钪铝合金的钪偏析、比较所述所测量的偏析与所要偏析及根据所述比较来调整后续溅镀目标的偏析。
8.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述钪铝合金包括:
熔化包括纯钪和纯铝的前驱物材料;
快速铸造所述熔化的前驱物材料以制造钪铝合金锭料;
锻造或轧制所述钪铝合金锭料;
热处理所述所锻造或轧制的钪铝合金锭料;以及
接合及机械加工所述经热处理的钪铝合金锭料。
9.根据权利要求8所述的方法,其中形成所述钪铝合金进一步包括:
对所述钪铝合金锭料执行感应耦合等离子体ICP相对强度分析以确定其钪含量。
10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括根据所述所确定的钪含量来调整用于后续溅镀目标的所述制造的至少一个过程参数。
11.一种制造声谐振器结构的方法,其包括:
在含有氮气的气氛中,使用包括钪铝合金的合金靶溅镀目标来执行溅镀过程,所述钪铝合金具有3-10原子百分数的钪和90-97原子百分数的铝。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述溅镀目标包括具有小于40μm的粒度的ScAl3。
13.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:
在衬底上形成第一电极;
执行所述溅镀过程以在所述第一电极上沉积氮化铝钪ASN层;以及
在所述ASN层上形成第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:
测量跨越所述ASN层的机电耦合系数(kt2)的均匀性;以及
根据所述测量来调整用于制造后续溅镀目标的过程参数。
15.根据权利要求14所述的方法,其中测量所述均匀性包括执行感应耦合等离子体ICP质谱分析法MS。
16.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:
测量所述ASN层的机电耦合系数(kt2);
比较所述所测量的kt2与由所述溅镀目标产生的至少一个其它ASN层的kt2;以及
根据所述比较来调整用于制造后续溅镀目标的过程参数。
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