[发明专利]贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置

权利要求书

1.一种贯通电极基板，其特征在于，包括：

具有贯通表面和背面的贯通孔的基板；和

被填充在所述贯通孔内的包含金属材料的导通部，

所述导通部从所述导通部的一端侧向另一端侧去具有作为直流电流区域的第一区域、作为直流-脉冲切换区域的第二区域和作为脉冲电流后期区域的第三区域，

所述第三区域至少包含晶粒直径为29μm以上的金属材料，

所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域的金属材料的面积加权后的平均晶粒直径满足以下关系：

所述第一区域<所述第二区域<所述第三区域。

2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述基板含有硅，

所述导通部至少形成于设置在所述基板侧的绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述基板的厚度为20μm～100μm。

4.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于：

所述基板的厚度为300μm～800μm。

5.一种半导体装置，其特征在于：

包括多个权利要求1～4中任一项所述的贯通电极基板，并且多个所述贯通电极基板被层叠。

6.一种半导体装置，其特征在于：

至少包括一个具有连接端子部的半导体芯片，

通过将所述连接端子部与权利要求1～4中任一项所述的贯通电极基板的导通部连接而构成。

7.一种半导体装置，其特征在于：

至少包括一个具有连接端子部的半导体芯片，

通过将所述连接端子部与权利要求5所述的半导体装置的贯通电极基板的导通部连接而构成。