[发明专利]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201510083012.X | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104617120B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰;徐泽 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴圳添,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 | ||
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：
像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素，所述像素包括光电二极管区域，所述光电二极管区域包括N型掺杂的电荷收集区域；
凸起结构，其高出于所述电荷收集区域对应的半导体表面，所述凸起结构具有从顶部至底部浓度呈阶梯递减的N型掺杂，所述凸起结构适于抽取所述电荷收集区域中的溢出电荷。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述凸起结构为单晶硅材质或多晶硅材质。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，于所述凸起结构的N型掺杂区域加正压。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述凸起结构高出所述电荷收集区域对应的半导体表面0.1μm～1.0μm。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述凸起结构全部为N型掺杂区域时，所述N型掺杂区域还同时延伸至凸起结构下方的部分区域。
6.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
P型掺杂区域，其位于所述电荷收集区域与所述N型掺杂区域之间。
7.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
N型沟道区区域，位于所述N型掺杂区域与所述电荷收集区域之间，并连接这两个区域；
P型掺杂区域，位于所述N型沟道区区域的周边，用来限定所述N型沟道区区域的耗尽电压。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述P型掺杂区域包括第一P型掺杂区域和第二P型掺杂区域，所述第一P型掺杂区域位于所述凸起结构下方的半导体衬底内，所述第二P型掺杂区域位于所述N型掺杂区与所述光电二极管区域的感光区之间。
9.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述N型掺杂区域的掺杂浓度范围为1E16atom/cm3～1E18atom/cm3。
10.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述凸起结构的宽度范围为0.1μm～0.5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子（上海）有限公司，未经格科微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510083012.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
