[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管-液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是当前主流的平板显示器，其基本结构包括由两块基板对盒而成的液晶面板，通过给基板施加电场，形成一定的驱动电场以控制液晶转向。如图1所示，为传统的TN型TFT-LCD阵列基板的截面结构示意图，其中，数据线1和与其相邻的像素电极3间存在耦合电容(以下简称寄生电容)，在列反转驱动模式下，上述数据线1与像素电极3间的耦合电容会引起交叉串扰，影响显示质量。

目前改善TFT-LCD图像交叉串扰的方法是在数据线1和像素电极3之间增加如图2所示的屏蔽电极5，屏蔽电极5隔着绝缘层设置在数据线1的正上方，且与公共电极4通过过孔连接(图中未示出)，此结构可以有效屏蔽数据线1和像素电极3间的耦合电容。然而，形成屏蔽电极5需要在传统阵列基板制造工艺基础上增加两次构图工艺，具体为：一次构图工艺形成屏蔽电极5的图形；一次构图工艺形成使屏蔽电极5与公共电极4相连接的过孔，工艺增加导致阵列基板的制作成本提高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，不需要增加构图工艺即可设置屏蔽电极，改善TFT-LCD显示图像交叉串扰问题，提高了显示质量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：基板、及形成在所述基板上的数据线、像素电极和公共电极，所述公共电极包括与所述像素电极相对的主体部分，还包括延伸至所述像素电极、与所述像素电极相邻的数据线之间的屏蔽部分；所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素电极与所述数据线之间的电容耦合作用。

进一步地，所述屏蔽部分的具体位置满足如下条件：在平行于所述基板的方向上，所述屏蔽部分在所述基板上的投影位于所述像素电极的投影和所述数据线的投影之间；同时，在垂直于所述基板的方向上，所述屏蔽部分位于所述像素电极与所述数据线之间，或者，所述屏蔽部分位于所述像素电极所在平面或所述数据线所在平面上。

进一步地，所述阵列基板还包括：缓冲层，所述缓冲层分布于所述屏蔽部分的下方，用于垫高所述屏蔽部分，以使所述屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素电极与所述数据线之间，或者，位于所述像素电极所在平面或所述数据线所在平面上。

进一步地，所述像素电极的下方还设置有钝化层、处于钝化层下方的栅绝缘层，所述像素电极下方相对应区域的钝化层的厚度被部分或者全部刻蚀；或者，所述像素电极下方相对应区域的钝化层被全部刻蚀，且所述像素电极下方相对应区域的栅绝缘层的厚度被部分或者全部刻蚀，使所述像素电极靠近所述基板，所述公共电极的屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素电极与所述数据线之间，或者能位于所述像素电极所在平面或所述数据线所在平面上。

优选地，所述阵列基板还包括：栅线，所述公共电极与所述栅线同层设置。或者，所述公共电极与所述数据线同层设置。

优选地，所述公共电极呈U字型，U字型公共电极中与栅线相平行部分，局部或者全部与所述像素电极相层叠，U字型公共电极中与数据线相平行部分，至少部分延伸至所述像素电极、与所述像素电极相邻的数据线之间。

可选地，所述公共电极的主体部分与所述像素电极相层叠，构成所述阵列基板用于存储显示信号的存储电容。

可选地，用于将所述公共电极的屏蔽部分垫高的缓冲层的材料为硅。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：形成公共电极的工序，所述形成公共电极的工序中形成的公共电极，包括：与所述像素电极相对的主体部分，还包括：延伸至所述像素电极、与所述像素电极相邻的数据线之间的屏蔽部分。所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素电极与所述数据线之间的电容耦合作用。

可选地，所述形成公共电极的工序，具体包括：

在基板上沉积缓冲材料层；

在所述缓冲材料层上沉积公共电极材料层；

通过构图工艺，在所述缓冲材料层、所述公共电极材料层上形成公共电极的图形。

可选地，所述形成公共电极的工序之后，还包括：

形成栅绝缘层；

形成有源层；

形成包括薄膜晶体管的源、漏极和数据线在内的源漏金属层；

沉积钝化层并进行构图工艺，形成钝化层过孔，同时对处于所述像素电极下方相对应区域的钝化层的厚度进行部分或者全部刻蚀；或者，