[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：基板及形成在所述基板上的数据线、像素电极和公共电极，其特征在于，

所述公共电极包括与所述像素电极相对的主体部分，还包括延伸至所述像素电极、与所述像素电极相邻的数据线之间的屏蔽部分；所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素电极与所述数据线之间的电容耦合作用，

所述屏蔽部分的具体位置满足如下条件：

在平行于所述基板的方向上，所述屏蔽部分在所述基板上的投影位于所述像素电极的投影和所述数据线的投影之间；同时，在垂直于所述基板的方向上，所述屏蔽部分位于所述像素电极与所述数据线之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：缓冲层，所述缓冲层分布于所述屏蔽部分的下方，用于垫高所述屏蔽部分，以使所述屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素电极与所述数据线之间。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的下方还设置有钝化层、处于钝化层下方的栅绝缘层；

所述像素电极下方相对应区域的钝化层的厚度被部分或者全部刻蚀，或者，

所述像素电极下方相对应区域的钝化层被全部刻蚀，且所述像素电极下方相对应区域的栅绝缘层的厚度被部分或者全部刻蚀，使所述像素电极靠近所述基板，所述公共电极的屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素电极与所述数据线之间。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅线，所述公共电极与所述栅线同层设置；

或者，所述公共电极与所述数据线同层设置。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极呈U字型，

U字型公共电极中与栅线相平行部分，局部或者全部与所述像素电极相层叠；

U字型公共电极中与数据线相平行部分，至少部分延伸至所述像素电极、与所述像素电极相邻的数据线之间。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的主体部分与所述像素电极相层叠，构成所述阵列基板用于存储显示信号的存储电容。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层的材料为硅。

8.一种阵列基板的制造方法，包括：形成公共电极的工序，其特征在于，所述形成公共电极的工序中形成的公共电极，包括：与像素电极相对的主体部分，还包括：延伸至所述像素电极、与所述像素电极相邻的数据线之间的屏蔽部分；所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素电极与所述数据线之间的电容耦合作用，

所述屏蔽部分的具体位置满足如下条件：

在平行于所述基板的方向上，所述屏蔽部分在所述基板上的投影位于所述像素电极的投影和所述数据线的投影之间；同时，在垂直于所述基板的方向上，所述屏蔽部分位于所述像素电极与所述数据线之间。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成公共电极的工序，具体包括：

在基板上沉积缓冲材料层；

在所述缓冲材料层上沉积公共电极材料层；

通过构图工艺，在所述缓冲材料层、所述公共电极材料层上形成公共电极的图形。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成公共电极的工 序之后，还包括：

形成栅绝缘层；

形成有源层；

形成包括薄膜晶体管的源、漏极和数据线在内的源漏金属层；

沉积钝化层并进行构图工艺，形成钝化层过孔，同时对处于所述像素电极下方相对应区域的钝化层的厚度进行部分或者全部刻蚀；或者，

去除处于所述像素电极下方相对应区域的钝化层，并对处于所述像素电极下方相对应区域的栅绝缘层的厚度进行部分或者全部刻蚀；

形成像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔连接至薄膜晶体管的漏极。

11.根据权利要求9或10所述的制造方法，其特征在于，所述形成公共电极的工序中，还同步形成栅金属层的图形，所述栅金属层与所述公共电极由同一材料层形成。