[发明专利]一种对失效芯片进行电性失效分析的方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法。

背景技术

失效分析是提高半导体产品良率的一个重要手段，其原理通常为在制造出的芯片出现故障时，通过失效性分析，以定位出失效单元的物理地址，并分析是何种缺陷导致所述失效单元失效，以便于在后续的制备过程中进行改进，提高良率。

在本领域生产工艺中，相关技术人员为了进行对批次芯片的电性失效对分析，或者收集生产线上遭受低良率的晶圆，或者收集客户退货的定量样品(Package)的特性数据，往往采用以下两种方法：

第一：如果在CP(Chip Probing，芯片测试)测试工艺过程中，有通过测试生成的文件(datalog)记录各个芯片的特性参数，那么后期要对失效芯片进行电性失效分析时，就去查阅相应的失效芯片测试中生成的文件。

第二：如果在CP测试过程中未通过测试生成的文件记录各个芯片的特性参数，那么后期要对失效芯片进行电性失效分析时，需要重新测量及整理所有芯片特性的参数。

上述第一种方法在后续分析中，需要去服务器上查找解压相应失效晶圆上的datalog，但是CP的datalog文件往往是很大，想查找文件中某些失效芯片的所有特性数据，非常不方便，往往需要花费大量的时间，或者是请专门的数据处理人员帮忙开发相应的代码，造成额外的开支。

上述的第二种方法在后续分析中，需要花费很多时间人力和机台时间去重新收集和分析失效芯片的特性参数，而且一些特性参数由于芯片本身不处于初始状态而无法再收集，比如UV状态下的各种特性参数，还有一些参数因芯片的后期失效也变得无法收集，从而无法了解到在CP测试中某些特性参数是否处于边缘失效(marginal fail)状态。

因此，亟需提供一种新型的有利于电性失效分析的方案，成为本领域技术人员致力于研究的方向。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，该方法可在CP测试过程中记录所需的特性参数，在CP测试最后阶段将特性参数写入安全寄存器(security register)内，并可使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到芯片的参数数据。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，其中，所述方法包括：

步骤S1、提供原始芯片，且该原始芯片上设置有存储区；

步骤S2、对所述原始芯片进行芯片测试，以获取并存储该原始芯片的特性参数至所述存储区中；

其中，当所述原始芯片失效时，读取存储在所述存储区中的部分或全部所述特性参数，并根据读取的特性参数进行所述电性失效分析。

较佳的，上述的方法，其中，所述原始芯片上设置有存储阵列区，所述存储区与所述存储阵列区独立设置。

较佳的，上述的方法，其中，所述存储区为安全寄存器，且包括有第一安全寄存器、第二安全寄存器、第三安全寄存器和第四安全寄存器。

较佳的，上述的方法，其中，所述步骤S2具体包括：

对所述原始芯片进行芯片测试，获取该原始芯片的特性参数；

将所述特性参数记录于一变量中，并将所述变量存储于所述第一安全寄存器内；