[发明专利]一种对失效芯片进行电性失效分析的方法

权利要求书

1.一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、提供原始芯片，且该原始芯片上设置有存储区；

步骤S2、对所述原始芯片进行芯片测试，以获取并存储该原始芯片的特性参数至所述存储区中；

其中，当所述原始芯片失效时，读取存储在所述存储区中的部分或全部所述特性参数，并根据读取的特性参数进行所述电性失效分析；

通过对所述特性参数的所述电性失效分析，以定位出失效单元的物理地址，并分析是何种缺陷导致所述失效单元失效，以便于在后续的制备过程中进行改进，提高良率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始芯片上设置有存储阵列区，所述存储区与所述存储阵列区独立设置。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储区为安全寄存器，且包括有第一安全寄存器、第二安全寄存器、第三安全寄存器和第四安全寄存器。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

对所述原始芯片进行芯片测试，获取该原始芯片的特性参数；

将所述特性参数记录于一变量中，并将所述变量存储于所述第一安全寄存器内；

继续将所述原始芯片的基本信息依次存储至所述第一安全寄存器内，以将所述变量中的特性参数按照电压、电流和时间进行分类，并一一对应分别存储至第二安全寄存器、第三安全寄存器和第四安全寄存器中。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述原始芯片的基本信息依次为批次、晶圆编号、坐标和芯片好坏类别。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述特性参数均以浮点型方式进行存储，且各所述特性参数均占据4字节。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，当原始芯片的特性参数存储至所述存储区中后，还包括：通过一写状态寄存器对所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器进行处理，以使其均处于只读状态。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述写状态寄存器中存储有第一锁位、第二锁位、第三锁位和第四锁位；

所述写状态寄存器分别通过第一锁位、第二锁位、第三锁位和第四锁位一一对应的对所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器进行处理。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述写状态寄存器通过将第一锁位、第二锁位、第三锁位和第四锁位均变为‘1’以对应的将所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器变为只读状态。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述原始芯片失效时，通过一读安全寄存器读取所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器中的部分或全部所述特性参数，并根据读取的特性参数进行所述电性失效分析。