[发明专利]一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备

说明书

本发明公开了一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备，涉及显示技术领域，能够进一步改善薄膜晶体管阈值电压漂移的现象。本发明实施例提供的基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材质为氧化物半导体，所述薄膜晶体管的栅极电连接所述栅线，所述基板还包括至少一个栅极信号输入端子，所述栅极信号输入端子电连接所述栅线。本发明实施例还提供了一种基板的退火方法和退火设备。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备。

背景技术

目前，由于非晶硅材料的载流子迁移率低，应用非晶硅材料作为有源层的薄膜晶体管已不能满足高分辨率和高刷新率的高端显示装置的要求。而氧化物半导体材料则具有较高的载流子迁移率，因而应用氧化物半导体材料作有源层的薄膜晶体管在高端显示装置中得到广泛应用。

由于用作有源层的氧化物半导体材料包含多种元素，使得该材料中产生较多的缺陷，例如氧空位。在薄膜晶体管的使用过程中，有源层中的缺陷逐渐向有源层与栅极绝缘层之间的界面处运动，从而导致薄膜晶体管的阈值电压产生漂移，影响显示装置中像素的开关效果，进而影响了显示效果。

为了防止薄膜晶体管的阈值电压在使用过程中产生漂移，通常在使用前对薄膜晶体管进行退火，从而减少有源层中的缺陷数量。发明人发现，退火不能完全消除薄膜晶体管的有源层中的缺陷，从而导致在使用过程中，仍然会有缺陷向有源层与栅极绝缘层的界面层运动的现象，进而导致薄膜晶体管的阈值电压产生漂移。

发明内容

本发明的实施例提供一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备，能够进一步改善薄膜晶体管的阈值电压漂移的现象。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材质为氧化物半导体，所述薄膜晶体管的栅极电连接所述栅线，所述基板还包括至少一个栅极信号输入端子，所述栅极信号输入端子电连接所述栅线。

所述基板包括一个所述栅极信号输入端子及一条栅线总线，所述栅极信号输入端子通过所述栅线总线电连接所有所述栅线。

所述基板包括至少两个所述栅极信号输入端子及至少两条栅线总线，每个所述栅极信号输入端子通过一条所述栅线总线电连接一部分所述栅线。

一个所述栅极信号输入端子电连接一条所述栅线。

所述栅极信号输入端子位于所述基板的周边区域。

所述基板还包括位于所述衬底基板上的数据信号输入端子、数据总线和数据线，所述数据信号输入端子通过所述数据总线电连接所述数据线，所述数据线电连接所述薄膜晶体管的源极。

本发明实施例提供了一种如上述的基板，由于该基板包括栅极信号输入端子，从而可以在对基板进行退火的同时，向栅极信号输入端子输入栅极信号，由于栅极信号输入端子电连接栅线，栅线电连接薄膜晶体管的栅极，从而使得该栅极信号施加在薄膜晶体管上。一方面，栅极信号使得薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动，另一方面，退火促进有源层中氧化物半导体材料的价键结构进行重组，生成更稳定的化学键，并且退火时的高温促使缺陷更快速地移动到有源层与栅极绝缘层之间的界面处，从而能够进一步改善薄膜晶体管在使用过程中阈值电压产生漂移的现象。

本发明实施例还提供了一种用于对如上述的基板进行退火的退火方法，包括在对所述基板进行退火的同时，向所述栅极信号输入端子输入栅极信号。

所述栅极信号包括正电压和负电压。

向不同的所述栅极信号输入端子输入不同的栅极信号。

在对所述基板进行退火的同时，向数据信号输入端子输入数据信号。