[发明专利]一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备有效
| 申请号: | 201510069959.5 | 申请日: | 2015-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN104617113B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
| 发明(设计)人: | 秦纬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 进行 退火 方法 设备 | ||
1.一种基板,包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的有源层的材质为氧化物半导体,所述薄膜晶体管的栅极电连接所述栅线,其特征在于,所述基板还包括至少一个栅极信号输入端子,所述栅极信号输入端子在所述基板进行退火时电连接所述栅线,并向所述栅极信号输入端子输入栅极信号,使所述薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板包括一个所述栅极信号输入端子及一条栅线总线,所述栅极信号输入端子通过所述栅线总线电连接所有所述栅线。
3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板包括至少两个所述栅极信号输入端子及至少两条栅线总线,每个所述栅极信号输入端子通过一条所述栅线总线电连接一部分所述栅线。
4.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,一个所述栅极信号输入端子电连接一条所述栅线。
5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述栅极信号输入端子位于所述基板的周边区域。
6.根据权利要求1-5任一项所述的基板,其特征在于,所述基板还包括位于所述衬底基板上的数据信号输入端子、数据总线和数据线,所述数据信号输入端子通过所述数据总线电连接所述数据线,所述数据线电连接所述薄膜晶体管的源极。
7.一种用于对如权利要求1-6中任一项所述基板进行退火的退火方法,其特征在于,包括:
在对所述基板进行退火的同时,向所述栅极信号输入端子输入栅极信号,并使所述薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动。
8.根据权利要求7所述的退火方法,其特征在于,
所述栅极信号包括正电压和负电压。
9.根据权利要求7所述的退火方法,其特征在于,向不同的所述栅极信号输入端子输入不同的栅极信号。
10.根据权利要求7所述的退火方法,其特征在于,在对所述基板进行退火的同时,向数据信号输入端子输入数据信号。
11.一种用于对如权利要求1-6中任一项所述基板进行退火的退火设备,其特征在于,包括至少一个栅极信号输出端子,所述栅极信号输出端子用于电连接所述基板上的所述栅极信号输入端子,并在对所述基板进行退火时,向所述栅极信号输入端子输入栅极信号,使所述薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动。
12.根据权利要求11所述的退火设备,其特征在于,还包括至少一个数据信号输出端子,所述数据信号输出端子用于电连接所述基板上的所述数据信号输入端子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





