[发明专利]液晶面板的配向膜制作方法有效
| 申请号: | 201510065263.5 | 申请日: | 2015-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN104635383B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 赵仁堂;宋彦君;谢忠憬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶面板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶生产技术领域,特别涉及一种液晶面板的配向膜制作方法。
背景技术
为了满足液晶面板的大尺寸、广视角的发展需求,多象限垂直配向(Multi-Domain Vertical Alignment,MVA)模式受到了液晶面板制造商的广泛关注。MVA模式是通过液晶配向单体(Reactive Monomer,RM)在固化过程中,在基板内表面形成凸起物,凸起物呈预设角度进而形成配向膜,使得液晶偏向某一角度后静止。MVA模式具有视角广、成像品质高等优点。
如图1A与图1B所示,为在配向膜形成的过程示意图。图1A所示为第一反应机台,提供电压V、第一紫外线(UV1)光灯管照度及加热,使液晶配向单体14开始发生反应,向第一基板11或第二基板开始移动,呈凸起状以形成配向膜13,使液晶分子12发生偏转。通常UV1照光完成即停止加电压,且基板紧接着进行第二紫外线光(UV2)照射,如图1B所示的第二反应机台中,仅提供UV2且比第一UV1光偏弱,使剩余RM14反应完全。整个过程中由于一台UV1机台一次只能对一片基板进行曝光,使这一步骤成为产能的瓶颈,影响了配向膜的制作效率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种液晶面板的配向膜制作方法,以解决现有技术中在第一反应机台内耗时长以致形成产能瓶颈的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供以下技术方案:
一种液晶面板的配向膜制作方法,包括以下步骤:
在第一基板与第二基板之间注入液晶混合物,并进行贴盒,以形成液晶盒,所述液晶混合物包含液晶分子和液晶配向单体;
将所述液晶盒放入第一反应机台中,以接收所述第一反应机台所提供电压、紫外线照射、以及温度,使所述液晶配向单体发生聚合反应;
判断所述液晶盒在所述第一反应机台中的时间是否达到第一预设时间;
如果达到第一预设时间,则将所述液晶盒从所述第一反应机台移至所述第二反应机台中,以接收所述第二反应机台所提供电压、以及温度,使所述液晶配向单体继续发生聚合反应,并在所述第一基板与所述第二基板的内表面分别形成配向膜。
优选地,所述第二反应机台包括传送带,用于将所述液晶盒从第二反应机台的入口传送至出口,并在第二反应机台内所述液晶配向单体完成所述聚合反应。
优选地,传送带的长度范围为10~100米。
优选地,所述第二反应机台为多层炉结构,炉体内的层数为10~100层。
优选地,还包括如下步骤:判断所述液晶盒在所述第二反应机台中的时间是否达到第二预设时间;以及
如果达到第二预设时间,则将所述液晶盒从所述第二反应机台中移出。
优选地,第一反应机台提供的电压为7~50V、紫外线照射的照度为0.05~120毫瓦/平方厘米、以及温度为25℃~80℃;
所述第二反应机台提供的电压为1V~50V、以及温度为10℃~100℃。
优选地,还包括步骤:制备所述液晶混合物,其中所述液晶配向单体在所述液晶混合物中的比例为2000~5000PPM。
优选地,所述液晶配向单体为芳香族。
优选地,在所述进行贴盒的步骤中,还包括:
将所述第一基板与第二基板错开一预定距离,至裸露所述第二基板的电压接触点,用于接收所述第一反应机台或第二反应机台所提供的电压。
优选地,所述液晶配向单体发生聚合反应后的步骤还包括:所述液晶配向单体向第一基板或第二基板移动并形成凸起物;
所述液晶分子在所述凸起物的作用下形成预倾角。
相对于现有技术,本发明通过第二反应机台为液晶盒提供聚合反应的条件,缩短了在第一反应机台中的反应时间,避免了产能的瓶颈,进而缩短了制备时间。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实i施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1A为背景技术中配向膜在第一反应机台中形成过程示意图;
图1B为背景技术中配向膜在第二反应机台中形成过程示意图;
图2为本发明实施例一提供的配向膜制作方法的流程示意图;
图3A为本发明实施例一提供的第二反应机台的模拟示意图;
图3B为图3A中的制备的配向膜的形成过程示意图;
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