[发明专利]晶圆承载器、热处理装置及热处理方法有效
| 申请号： | 201510055590.2 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104600020B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 孙少东 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 陶金龙,张磊 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 承载 热处理 装置 方法 | ||
1.一种晶圆承载器，其特征在于，包括：
以一定距离相互平行间隔设置的顶板和底板；
连接所述顶板和底板的多根支柱；
沿高度方向以规定间隔从每一所述支柱的内侧面径向向内突出的多个晶圆承载部；
其中，每一所述晶圆承载部在径向向内方向上具有第一凹陷台阶和第二凹陷台阶，所述第一凹陷台阶从该晶圆承载部的上表面向下凹陷形成且具有第一水平台阶面，所述第二凹陷台阶从所述第一水平台阶面向下凹陷形成且具有第二水平台阶面；
其中，每一所述晶圆承载部的上表面和所述第二水平台阶面用于同时承载不同尺寸的晶圆，且所述不同尺寸的晶圆通过所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶隔开；
其中，所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶的深度之和为5.5～6.5mm。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载器，其特征在于，所述晶圆承载部的下表面为水平面。
3.根据权利要求1所述的晶圆承载器，其特征在于，所述晶圆承载部的下表面呈与所述上表面及第一凹陷台阶相适应的一级台阶状。
4.根据权利要求1所述的晶圆承载器，其特征在于，所述上表面用于承载直径为300mm的晶圆，所述第二凹陷台阶的台阶面用于承载直径为200mm的晶圆。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载器，其特征在于，所述第一凹陷台阶由所述第一水平台阶面以及从所述第一水平台阶面延伸至所述晶圆承载部的上表面的第一侧壁限定，所述第二凹陷台阶由所述第二水平台阶面以及从所述第二水平台阶面延伸至所述第一凹陷台阶的台阶面的第二侧壁限定。
6.一种热处理装置，其特征在于，包括：
如权利要求1～5任一项所述的晶圆承载器；
收纳该晶圆承载器并对该晶圆承载器所保持的晶圆进行热处理的工艺管；以及
对该工艺管收纳的所述晶圆加热的加热器。
7.一种热处理方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1～5任一项所述的晶圆承载器；
通过该晶圆承载器保持不同尺寸的多个晶圆；
通过将该晶圆承载器容纳于工艺管内对所述多个晶圆进行热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
