[发明专利]一种提高发光效率的发光二极管

说明书

本发明提供一种提高发光效率的发光二极管，有源层的N端或P端使用黄光制程沉积一层氟化物高分子材料薄膜与取光结构。在上述结构中，采用胶质材料在发光器件的出光表面上形成取光结构，并搭配高分子材料膜薄，由于高分子材料膜薄表面能小于取光结构材料的内聚力(lotus effect)，从而使其所述胶质取光结构可以达到>90°的表面张力，有效的增加取光结构表面积/发光表面积比值，增加出光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种提高发光效率的发光二极管。

背景技术

作为具有用于未来应用的有希望的照明属性的新半导体光源，发光二极管装置(简写为LED)是广为知晓的。这些LED装置应最终取代许多比如白炽灯的当前光源。它们在显示灯、警告灯、指示灯和装饰灯中是特别有用的。

现有的LED结构中，增加亮度的方法普遍使用表面粗化技术，如图1所示的结构，该结构克服了全反射所造成的亮度损失。但是，使用表面粗化技术通常使用湿法蚀刻完成，此制程会因为发光材料不同导致需要不同的化学溶液蚀刻，制程复杂，导致合格率下降，并且因为为破坏性制程，所以即使可以增加光取出效率，但是电压特性会变高，导致发光二级管消耗功率上升。另外，增加亮度的方法也可以使用封装不同折射率胶材，与芯片材料折射率的相互搭配达到亮度提升效果，但是因为封装体需要一封装支架作为植入胶体的容器，导致制造成本上升，并且需要有一定空间放入芯片，造成发光原件体积变大，影响在微型原件上的应用，如图2所示。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种提高发光效率的发光二极管，在LED出光面形成至少一个非平面型透明绝缘取光结构，达到提升亮度并且具有极小封装的LED发光原件。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种提高发光效率的发光二极管，有源层的N端或P端使用黄光制程沉积一层氟化物高分子材料薄膜与取光结构。优选的，所述取光结构是指在高分子材料薄膜的封闭区域 里面，填胶后胶体表面为球形，透明胶表面积必须大于发光表面积，材料可为有机树脂等透光性材料。

优选的，所述透明胶为硅胶或有机树脂中一种。

优选的，发光二极管的外延片完成后，外延层做镜面系统，将有源层的P端键合于导电基板上，在有源层的N端上做完电极后，使用黄光制程沉积一层氟化物高分子材料薄膜，且该薄膜至少一个封闭面，且该薄膜至少一个封闭面。

优选的，发光二极管的外延片完成后，外延层做完n电极与p电极后,在有源层P端上使用黄光制程沉积一氟化物高分子材料膜薄，且该膜薄至少一个封闭面。

优选的，发光二极管的外延片完成后，外延层做镜面系统，将有源层的P端键合于导电基板上，在有源层的N端上做完电极以及指栅后，在指栅上使用黄光制程沉积一氟化物高分子材料膜薄，且该膜薄为封闭面。

优选的，至少一个指栅采用封闭面。

优选的，所述氟化物高分子材料指的是聚四氟乙烯、全氟(乙烯丙烯)共聚物、聚全氟烷氧基树脂、聚三氟氯乙烯、乙烯-三氟氯乙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯和聚氟乙烯中的一种。

本发明具有的优点和积极效果是：在上述结构中，采用胶质材料在发光器件的出光表面上形成取光结构，并搭配高分子材料膜薄，由于高分子材料膜薄表面能小于取光结构材料的内聚力(lotus effect)，从而使其所述胶质取光结构可以达到>90°的表面张力，有效的增加取光结构表面积/发光表面积比值，增加出光效率。

附图说明

图1是现有技术中表面粗化的发光二极管结构示意图；

图2是现有技术中使用封装后的发光二极管结构示意图；

图3是本发明中实施例一的发光二极管结构的剖视图；