[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体

说明书

本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高2~41.2mgKOH/g。本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。

技术领域

本发明涉及一种可进行碱溶液显影的干膜抗蚀剂层压体。

背景技术

在印刷电路板、引线框架、半导体封装等的制造、BGA(Ball Grid Array)、CPS(Chip Size Package)等的封装中，干膜抗蚀剂层压体广泛用于刻蚀或电镀等过程的抗蚀剂材料。例如，在制造印刷电路板时，首先，在铜基板上层压干膜抗蚀剂层压体，用具有图形的掩模遮盖于干膜抗蚀剂层压体，进行曝光，图形曝光后，用显影液去除未曝光部位，再实施刻蚀或电镀处理而形成图形，最后用去除剂剥离去除固化部分，从而实现图形转移。

近年来，随着电子设备向着轻薄短小的方向发展，其所搭载的印刷电路板、引线框架等图形的线条尺寸也越来越小，基板和已经形成图形的树脂组合物接触面积也处于变小的趋势，为了以更高良品率制造这种窄间距的线路图形，这就要求干膜抗蚀剂层压体具有良好的分辨率和侧边形貌。

但是，现有的技术是，在图形曝光、显影后，在未曝光的图形靠近曝光部分的侧边根部，由于线路过细造成冲洗死角等原因，容易出现碱液未能洗去的残胶，在后续的刻蚀或电镀，并最终除去固化后的抗蚀剂时，对应地，铜线条就形成外凸的毛刺和镀层往里凹的金属坑洞。在图形线条间隙更窄时，这种残胶越是严重，极端情况就是，线条之间的胶表面已除去，但线条之间，金属表面仍存在薄薄的一层残胶，分辨率无法提升。虽然通过提升抗蚀剂层的酸值，降低抗蚀剂中碱可溶性树脂的分子量等方法可以得到一些改善，但这些方法的使用也使得显影后图形线条的侧边形貌变差，变得不耐碱洗，线条棱角变得不分明。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种干膜抗蚀剂层压体，其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于支撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80～400mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值为82～441.2mgKOH/g，并且，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高2～41.2mgKOH/g。

进一步地，所述第一抗蚀剂层厚度为5～50微米，第二抗蚀剂层厚度为1-10微米。

进一步地，所述第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层由质量分数为45～70％的含羧基的碱可溶性聚合物、质量分数为15～45％的含有至少一个可聚合的不饱和键单体、质量分数为0.5～10％的光引发剂、质量分数为0.01～5％的添加剂组成。