[发明专利]一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：首先采用粉末覆盖燃烧法对金刚石表面镀Mo，将金刚石：MoO₃＝1：2～1：4(wt％)置于玛瑙研钵中混合均匀，将其装于氧化铝坩埚中，分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热，温度为900～1050℃，保温时间2-4h，完成镀钼过程；镀钼后的金刚石颗粒随炉冷却取出后，对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干；将处理后的金刚石装入Al₂O₃陶瓷管内振实，形成金刚石颗粒多孔体预制体；将镀覆后的金刚石颗粒的预制体放入石墨模具中，Cu装入坩埚；然后将石墨模具和坩埚放入浸渗炉内，密封和紧固浸渗炉炉体；将浸渗炉炉腔抽真空，当浸渗炉炉腔达到预定真空度后开始加热预制体、熔化Cu；控制加热过程使金刚石颗粒预制体和熔融Cu达到预定温度后施加一定的成形压力，保温一定时间，使得液态Cu渗入金刚石颗粒预制体并充满颗粒间的孔隙，最终获得高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：所述金刚石品级为MBD-12，粒度为80～100目；MoO₃纯度为99.99wt％，粒度为300目；铜粉纯度为99.99wt％，粒度为400目。

3.根据权利要求1所述的一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：氢气和氩气的纯度为99.99％，流量为180～220ml/min。

4.根据权利要求1所述的高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：烘干温度为120℃。

5.根据权利要求1所述的高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，其特征在于，所述镀钼后的金刚石多孔预制件中金刚石颗粒的体积百分数为50～65％。

6.根据权利要求1所述的高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，其特征在于，所述浸渗炉炉腔的真空度为1kPa～0.1kPa，压力熔渗法的成形温度为1150～1250℃，成形压力为0.5～3MPa，保压时间为10～30min。