[发明专利]熔融金属喷出装置以及熔融金属喷出方法在审
申请号: | 201510037359.0 | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN105097611A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 仓持敬一;新饲雅芳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔融 金属 喷出 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种熔融金属涂敷装置以及熔融金属喷出装置,特别是涉及一种将熔融的金属喷出,并通过喷出的金属进行部件的接合的熔融金属喷出装置。
背景技术
在向半导体元件(例如Si芯片、SiC芯片等)的电极涂敷熔融金属,而与基座板、铜等的引线框架等进行接合的用途中,使用熔融金属喷出装置。通常的熔融金属喷出装置例如具有玻璃制的压力缸和轴。通过在将压力缸的前端浸泡在熔融的金属中的状态下提起轴,从而使压力缸内形成负压而将熔融金属吸入。然后,在使压力缸的前端移动至规定的位置之后,通过按压轴而对压力缸内进行加压,将熔融金属喷出(例如,参照专利文献1)。
近年来,伴随着从Si芯片向SiC芯片的过渡,半导体元件的小型化得到发展。由于半导体元件实现小型化,因此接合部分的面积也变小。伴随着接合部分的小面积化,每一个部位的接合所需要的熔融金属的量也变少。即,要求使每一次的熔融金属的喷出量(熔融金属的供给量)更加稳定化。
专利文献1:日本特开2001-194456号公报
现有的熔融金属喷出装置无法将轴插入至玻璃制的压力缸前端部。因此,存在下述问题,即,在将熔融金属压出时,有时熔融金属残留在压力缸前端部,导致每一次的喷出量不稳定。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于提供一种使每一次的熔融金属的喷出量稳定的熔融金属喷出装置以及熔融金属喷出方法。
本发明所涉及的熔融金属喷出装置,其将熔融的熔融金属喷出,并通过喷出的该熔融金属进行部件的接合,该熔融金属喷出装置具有:筒状的压力缸,在其内部收容熔融金属;轴,其在压力缸内部滑动,按压熔融金属;以及加热器,其设置在压力缸的周围,将熔融金属加热而保持熔融状态,压力缸具有:轴滑动部,其用于使轴进行滑动;以及喷嘴,其内径比轴滑动部小,从前端的开口部喷出熔融金属,熔融金属喷出装置还具有旋转机构,该旋转机构使压力缸以喷嘴的延伸方向为旋转中心而进行旋转,对喷嘴的内壁施加有防止熔融金属附着的涂层。
另外,本发明所涉及的熔融金属喷出方法,其使用熔融金属喷出装置,该熔融金属喷出装置将熔融的熔融金属喷出,并通过喷出的该熔融金属进行部件的接合,该熔融金属喷出方法的特征在于,熔融金属喷出装置具有:筒状的压力缸,在其内部收容熔融金属;轴,其在压力缸内部滑动,按压熔融金属;以及加热器,其设置在压力缸的周围,将熔融金属加热而保持熔融状态,压力缸具有:轴滑动部,其用于使轴进行滑动;以及喷嘴,其内径比轴滑动部小,从前端的开口部喷出熔融金属,该熔融金属喷出装置还具有旋转机构,该旋转机构使压力缸以喷嘴的延伸方向为旋转中心而进行旋转,对喷嘴的内侧表面施加有防止熔融金属附着的涂层,熔融金属喷出方法具有:工序(a),在该工序中,在喷嘴内部保持有熔融金属的状态下,通过旋转机构使压力缸旋转;以及工序(b),在该工序中,使轴朝向喷嘴方向滑动,从喷嘴的开口部压出熔融金属,同时进行工序(a)和工序(b)。
发明的效果
根据本发明所涉及的熔融金属喷出装置以及熔融金属喷出方法,在压力缸前端的喷嘴内部,施加有防止熔融金属附着的涂层,因此,能够减小压力缸与熔融金属的接触面积。在喷出熔融金属时,通过旋转机构使喷嘴旋转,由此,减小喷嘴与熔融金属的接触阻力。在减小了喷嘴与熔融金属的接触阻力的状态下,能够通过使轴下降而对压力缸内部进行加压,从而使熔融金属喷出而不残留在压力缸内。由此,熔融金属的喷出量的波动变小,因此,能够高精度地控制熔融金属的喷出量。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的熔融金属喷出装置的结构的图。
图2是说明实施方式1所涉及的熔融金属喷出装置与接合部的关系的图。
图3是说明实施方式1所涉及的熔融金属喷出装置的喷出动作的图。
图4是说明实施方式1所涉及的熔融金属喷出装置的吸入动作的图。
图5是表示实施方式2所涉及的熔融金属喷出装置的结构的图。
图6是表示实施方式2所涉及的熔融金属喷出装置的其他结构的图。
图7是表示实施方式3所涉及的熔融金属喷出装置的结构的图。
图8是表示实施方式4所涉及的熔融金属喷出装置的喷嘴的结构的图。
图9是表示实施方式5所涉及的熔融金属喷出装置的喷嘴的剖面的图。
标号的说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造