[发明专利]熔融金属喷出装置以及熔融金属喷出方法在审
申请号: | 201510037359.0 | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN105097611A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 仓持敬一;新饲雅芳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔融 金属 喷出 装置 以及 方法 | ||
1.一种熔融金属喷出装置,其将熔融的熔融金属喷出,并通过喷出的该熔融金属进行部件的接合,其中,
该熔融金属喷出装置具有:
筒状的压力缸,在其内部收容所述熔融金属;
轴,其在所述压力缸内部滑动,按压所述熔融金属;以及
加热器,其设置在所述压力缸的周围,将所述熔融金属加热而保持熔融状态,
所述压力缸具有:轴滑动部,其用于使所述轴进行滑动;以及喷嘴,其内径比该轴滑动部小,从前端的开口部喷出所述熔融金属,
该熔融金属喷出装置还具有旋转机构,该旋转机构使所述压力缸以所述喷嘴的延伸方向为旋转中心而进行旋转,
对所述喷嘴的内壁施加有防止所述熔融金属附着的涂层。
2.根据权利要求1所述的熔融金属喷出装置,其中,
还具有气体配管,该气体配管用于将气体向所述喷嘴内侧吹出。
3.根据权利要求1所述的熔融金属喷出装置,其中,
沿所述喷嘴的延伸方向的所述喷嘴的剖面,是朝向开口部的前端较细的形状,
所述轴的前端是前端较细的形状,
所述轴的前端与所述喷嘴无间隙地嵌合。
4.根据权利要求1所述的熔融金属喷出装置,其中,
还具有喷嘴用加热器,该喷嘴用加热器埋入在所述喷嘴中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的熔融金属喷出装置,其中,
在所述喷嘴的内壁上设置有微小的凹凸,
对所述凹凸施加有防止所述熔融金属附着的涂层。
6.一种熔融金属喷出方法,其使用熔融金属喷出装置,该熔融金属喷出装置将熔融的熔融金属喷出,并通过喷出的该熔融金属进行部件的接合,
该熔融金属喷出方法的特征在于,
熔融金属喷出装置具有:
筒状的压力缸,在其内部收容所述熔融金属;
轴,其在所述压力缸内部滑动,按压所述熔融金属;以及
加热器,其设置在所述压力缸的周围,将所述熔融金属加热而保持熔融状态,
所述压力缸具有:轴滑动部,其用于使所述轴进行滑动;以及喷嘴,其内径比该轴滑动部小,从前端的开口部喷出所述熔融金属,
该熔融金属喷出装置还具有旋转机构,该旋转机构使所述压力缸以所述喷嘴的延伸方向为旋转中心而进行旋转,
对所述喷嘴的内侧表面施加有防止所述熔融金属附着的涂层,
熔融金属喷出方法具有:
工序(a),在该工序中,在所述喷嘴内部保持有所述熔融金属的状态下,通过所述旋转机构使所述压力缸旋转;以及
工序(b),在该工序中,使所述轴朝向所述喷嘴方向滑动,从所述喷嘴的开口部压出所述熔融金属,
同时进行所述工序(a)和所述工序(b)。
7.根据权利要求6所述的熔融金属喷出方法,其中,
所述熔融金属喷出装置还具有气体配管,该气体配管用于将气体向所述喷嘴内侧吹出,
所述熔融金属喷出方法还具有工序(c),在该工序中,在所述工序(b)之后,穿过所述气体配管,将惰性气体向所述喷嘴内侧吹出。
8.根据权利要求6所述的熔融金属喷出方法,其中,
在所述熔融金属喷出装置中,
沿所述喷嘴的延伸方向的所述喷嘴的剖面,是朝向开口部的前端较细的形状,
所述轴的前端是前端较细的形状,
所述轴的前端与所述喷嘴无间隙地嵌合,
在所述工序(b)中,使所述轴前端与所述喷嘴嵌合。
9.根据权利要求6所述的熔融金属喷出方法,其中,
所述熔融金属喷出装置还具有喷嘴用加热器,该喷嘴用加热器埋入在所述喷嘴中,
在所述工序(a)以及所述工序(b)中,使所述喷嘴用加热器进行动作。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的熔融金属喷出方法,其中,
在所述熔融金属喷出装置中,
在所述喷嘴的内侧表面上设置有微小的凹凸,
对所述凹凸施加有防止所述熔融金属附着的涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造