[发明专利]一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法

权利要求书

1.一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

1)提供一衬底，在所述衬底表面生长一外延层；

2)刻蚀所述外延层，形成具有第一深度的沟槽，在所述沟槽表面淀积氮化物层，之后腐蚀掉沟槽底部的氮化物层，保留侧壁的氮化物层；

3)继续刻蚀所述沟槽底部的外延层材料至第二深度，并热生长氧化物层附着在未被氮化物层覆盖的沟槽侧壁及底部；

4)在所述沟槽下部填充第一导电材料，去除侧壁上的氮化物层，在所述第一导电材料表面制作一层隔离层；

5)生长栅氧化层，覆盖于沟槽上部裸露的侧壁上，并在沟槽上部填充满第二导电材料，形成上窄下宽的分裂栅型沟槽MOSFET。

2.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述第一深度的范围为0.8～2μm。

3.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述氮化物层厚度范围为800～1200埃。

4.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述第二深度的范围为2～5μm。

5.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的氧化物层的厚度为3000～6000埃。

6.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，包括步骤：沉积的第一导电材料，覆盖在外延层表面，并填充于沟槽内，回刻所述第一导电材料至外延层表面以下1～2μm，保留沟槽下部的第一导电材料，去除侧壁上的氮化物层后，淀积隔离材料，回刻隔离材料到距第一导电材料上表面2000～3000埃，形成一层隔离层。

7.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述第一导电材料和第二导电材料为多晶硅。

8.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述氮化物层的材料为氮化硅。

9.根据权利要求1所述的分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中包括步骤：在所述外延层表面形成硬掩膜层，藉由硬掩膜层刻蚀所述外延层形成具有第一深度的沟槽，之后在步骤4)去除氮化物层的同时去除该硬掩膜层。