[发明专利]一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201510037140.0 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104528709A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;李国强;温雷;高芳亮;李景灵 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 强拉曼 散射 强度 石墨 制备 方法 | ||
1.一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备有序Au纳米结构；
(2)制备石墨烯薄膜；
(3)将石墨烯薄膜转移到Au纳米结构的表面。
2.根据权利要求1所述的强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述制备有序Au纳米结构，具体为：
(1-1)在SiO2或Si衬底上采用提拉法组装单层聚苯乙烯微球；
(1-2)在聚苯乙烯微球上采用磁控溅射沉积一层Au薄膜；
(1-3)在甲苯中超声去除聚苯乙烯微球，形成有序Au纳米结构。
3.根据权利要求2所述的强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(1-1)中采用提拉法组装单层聚苯乙烯微球，提拉速率为300～600μm/s。
4.根据权利要求2所述的强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(1-2)所述在聚苯乙烯微球上采用磁控溅射沉积一层Au薄膜，具体参数为：
衬底温度为200～500℃，工作气体为高纯Ar，生长室内压强为1Pa，溅射功率为60W，沉积时间为10～30min。
5.根据权利要求2所述的强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(1-3)所述超声，具体为：超声功率Ps为5W，超声时间Ts为20～50min。
6.根据权利要求1所述的强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述制备石墨烯薄膜，具体为：
采用化学气相沉积在铜箔上制备石墨烯薄膜，生长过程中采用甲烷作为前躯体，生长气氛是氢气和氩气的混合气体，混合比例为1:1，生长过程中的生长温度为950～1050℃，生长时间为5～15分钟。
7.根据权利要求6所述的强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述将石墨烯薄膜转移到Au纳米结构的表面，具体为：
在石墨烯薄膜表面旋涂PMMA，采用FeCl3溶液腐蚀掉铜箔，随后采用湿法转移将石墨烯薄膜转移到有序Au纳米结构的表面，采用丙酮和乙醇交替清洗去除掉石墨烯薄膜表面的PMMA。
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