[发明专利]一种大电流功率半导体模块

权利要求书

1.一种大电流功率半导体模块，包括散热底板（1）、外壳下盖（2）、外壳上盖（16）、绝缘导热片（3）、第一折弯电极 （5）、第二折弯电极（6）、电极（7）、第一半导体芯片（4）、第二半导体芯片（8）、钼片、塑胶紧固件（9）、门极组件（10）以及内填充的硅凝胶或硅凝橡胶层，其特征是：所述的第一半导体芯片（4）、第二半导体芯片（8）钼片面均朝下面的方向，即：采用正装方式；所述的第一折弯电极（5）、第二折弯电极（6）、电极（7）均为片状结构电极；所述的第一折弯电极（5）、第二折弯电极（6）、电极（7）在其与第一半导体芯片（4）、第二半导体芯片（8）阴极接触部分增加了凸起台面；所述的第一折弯电极（5）、第二折弯电极（6）、电极（7）为一次冲压成型的电极，连接端呈90º折弯状；所述散热底板（1）、绝缘导热片（3）、第一折弯电极 （5）、第二折弯电极（6）、电极（7）、第一半导体芯片（4）、第二半导体芯片（8）依次组装后用压力机压紧，通过塑胶紧固件（9）和紧固螺钉压紧，与门极组件（10）装于外壳下盖（2）内后用硅凝胶或硅凝橡胶灌注，加温固化；所述外壳下盖（2）与外壳上盖（16）之间设有推拉式封闭结构；第一折弯电极 （5）、第二折弯电极（6）的芯片连接端分别位于电极（7）的上下两侧。

2.根据权利要求1所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的散热底板（1）为T2材质的散热底板，且表面光洁度为△8。

3.根据权利要求1或2 所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的外壳为由外壳下盖（2）、外壳上盖（16）组成，为PBT或者PPS材质的外壳。

4.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片（4）、第二半导体芯片（8）为直径Ф20-40mm的电力电子功率装置用可控硅或整流管芯片。

5.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为两个芯片串联的可控硅芯片或整流管芯片。

6.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为串联的一个可控硅芯片和一个整流管芯片。

7.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为两个共阳极连接的可控硅芯片或整流管芯片。

8.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为共阳极连接的一个可控硅芯片和一个整流管芯片。

9.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为两个共阴极连接的可控硅芯片或整流管芯片。

10.根据权利要求1或2所述的一种大电流功率半导体模块，其特征在于：所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为共阴极连接的一个可控硅芯片和一个整流管芯片。