[发明专利]芯片生产线的废水处理方法有效
申请号: | 201510036132.4 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104671590B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 韦相亮;马崇维;赵其 | 申请(专利权)人: | 先达恩那社水处理工程(天津)有限公司 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 300020 天津市和平区大沽北*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 生产线 废水处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及废水处理的技术领域,尤其涉及一种芯片生产线的废水处理方法。
背景技术
在半导体制造技术中,通过一系列的光刻、刻蚀、沉积、离子注入、研磨、清洗等工艺形成具有各种功能的半导体芯片,然后将所述半导体芯片进行封装和电性测试,并最终形成终端产品。目前,在半导体芯片的制造过程中,会产生大量的工业废水。
在现有的废水处理过程中,通常单独使用序列间歇式活性污泥法(SBR)或生物接触氧化法或曝气生物滤池(BAF),均只能对废水进行单一的处理,例如为过滤或微生物反应或去除毒性等,由于处理方式过于单一,这常常导致过滤物质很快堵塞的问题。因此,废水处理仍有改善的空间。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种芯片生产线的废水处理方法,以解决现有技术存在的处理方式过于单一,这常常导致过滤物质很快堵塞的问题。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种芯片生产线的废水处理方法,包括如下步骤:接收来自于芯片生产线的废水,所述废水中包含纳米级悬浮颗粒物;对所述废水进行调节曝气混合处理,以调匀废水的PH值;对所述废水进行好氧处理,以在废水中培养微生物及活性污泥和曝气处理,以增加废水中的溶氧量;在废水中加入悬浮物污泥物质,以吸附废水中的纳米级颗粒物,形成微米级以上的悬浮颗粒物;对所述废水进行膜生物反应器处理,以去除废水中的悬浮颗粒物。
其中,所述溶氧量为1-2PPM。
其中,所述悬浮物污泥物质的浓度为500-1200PPM。
其中,所述废水中加入悬浮物污泥物质的步骤之后进一步包括:检测所述悬浮物污泥物质的浓度;若所述悬浮物污泥物质的浓度超过预设浓度,对所述悬浮物污泥物质进行排放。
其中,所述膜生物反应器包括中空纤维膜。
其中,所述废水中加入悬浮物污泥物质的步骤之前进一步包括:在废水中加入PH值调节物质,以使得所述废水的PH值呈弱酸性、中性或弱碱性;对废水进行过滤,以滤除废水中的颗粒物体。
其中,所述废水的PH值的范围为6.5-8.5
其中,所述对废水进行过滤采用过滤器,其中所述过滤器的目数为60-100目。
其中,所述对所述废水进行膜生物反应器处理的步骤之后进一步包括:在通过膜生物反应器处理的废水中加入细菌抑制剂,以抑制废水中的细菌滋生。
其中,所述细菌抑制剂包括次氯酸钠。
其中,所述次氯酸钠的余氯浓度为0.5-0.8PPM。
其中,所述废水处理方法进一步包括:对所述膜生物反应器表面进行空气冲刷。
根据本发明的技术方案,通过对所述废水进行调节曝气混合处理、好氧处理和曝气处理以及膜生物反应器处理,并于膜生物反应器处理前,加入悬浮物污泥物质。如此一来,可达到水资源的回收再利用的效果,并可避免膜生物反应器堵塞的情况发生。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1是根据本发明第一实施例的芯片生产线的废水处理方法的流程图;
图2是根据本发明第二实施例的芯片生产线的废水处理方法的流程图;
图3是根据本发明第三实施例的芯片生产线的废水处理方法的流程图;
图4是根据本发明第四实施例的芯片生产线的废水处理系统的示意图;
图5是根据本发明第五实施例的芯片生产线的废水处理系统的示意图;
图6是根据本发明第六实施例的芯片生产线的废水处理系统的示意图。
具体实施方式
本发明的主要思想在于,基于通过对所述废水进行调节曝气混合处理、好氧处理和曝气处理以及膜生物反应器处理,并于膜生物反应器处理前,加入悬浮物污泥物质。如此一来,可达到水资源的回收再利用的效果,并可避免膜生物反应器堵塞的情况发生。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本发明作进一步地详细说明。
根据本发明的实施例,提供了一种芯片生产线的废水处理方法。
图1是根据本发明第一实施例的芯片生产线的废水处理方法的流程图。
在步骤S102中,接收来自于芯片生产线的废水,所述废水中包含纳米级悬浮颗粒物。所述纳米级悬浮颗粒物例如为二氧化硅、硅粉、金属物质等。
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