[发明专利]芯片生产线的废水处理方法

权利要求书

1.一种芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，接收来自于芯片生产线的废水，所述废水中包含纳米级悬浮颗粒物；

步骤2，对所述废水进行调节曝气混合处理，以调匀废水的PH值；

步骤3，对所述废水进行好氧处理同时进行曝气处理，以增加废水中的溶氧量，使好氧池中的好氧性微生物与废水相接触，以在废水中培养微生物及活性污泥；

步骤4，在废水中加入悬浮物污泥物质，以让悬浮物污泥物质吸附废水中的纳米级颗粒物，形成微米级以上的悬浮颗粒物；

步骤5，对所述废水进行膜生物反应器处理，以去除废水中的悬浮颗粒物。

2.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述溶氧量为1-2PPM。

3.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于所述悬浮物污泥物质的浓度为500-1200PPM。

4.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述废水中加入悬浮物污泥物质的步骤之后进一步包括：

检测所述悬浮物污泥物质的浓度；

若所述悬浮物污泥物质的浓度超过预设浓度，对所述悬浮物污泥物质进行排放。

5.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述膜生物反应器包括中空纤维膜。

6.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述废水中加入悬浮物污泥物质的步骤之前进一步包括：

在废水中加入PH值调节物质，以使得所述废水的PH值呈弱酸性、中性或弱碱性；

对废水进行过滤，以滤除废水中的颗粒物体。

7.根据权利要求6所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述废水的PH值的范围为6.5-8.5。

8.根据权利要求6所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述对废水进行过滤采用过滤器，其中所述过滤器的目数为60-100目。

9.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述对所述废水进行膜生物反应器处理的步骤之后进一步包括：

在通过膜生物反应器处理的废水中加入细菌抑制剂，以抑制废水中的细菌滋生。

10.根据权利要求9所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述细菌抑制剂包括次氯酸钠。

11.根据权利要求10所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述次氯酸钠的余氯浓度为0.5-0.8PPM。

12.根据权利要求1所述的芯片生产线的废水处理方法，其特征在于，所述废水处理方法进一步包括：

对所述膜生物反应器表面进行空气冲刷。