[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。其中，低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。本发明的技术方案能够减少沟道效应、使得离子注入的深度均匀性较佳，薄膜晶体管的阈值电压的均匀性较好，并实现源漏超浅结。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光显示器(OLED)由于具有自主发光、快速响应、轻薄、低功耗并可实现柔性显示等诸多优点而备受关注，被认为是下一代的平板显示技术。目前，OLED技术已逐步应用于各种电子产品中，其中有源矩阵有机发光显示屏(AMOLED)凭借高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点而成为OLED发展的主要趋势。

目前AMOLED背板技术中多采用多晶硅薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管具有消耗功率小且电子迁移率大等优点。早期的多晶硅薄膜晶体管的制程温度高达摄氏1000℃，因此基板材质的选择受到大幅的限制，近来由于激光的发展，制程温度可降至摄氏600℃以下，利用此种制程方式所得的多晶硅薄膜晶体管又被称为低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)。

在现有低温多晶硅薄膜晶体管的制程中，其中一个步骤是在基板上形成一层多晶硅薄膜，后续制程会基于该多晶硅薄膜形成薄膜晶体管的源区/漏区与沟道区，为了提高薄膜晶体管的性能，需要对源区/漏区的多晶硅薄膜进行离子注入，如图1和图2所示，现有对多晶硅薄膜进行离子注入时，离子直接注入多晶硅薄膜表面，由于多晶硅中晶格原子的排列是规则的，因此会存在沟道效应，导致离子注入的深度不均匀，进而引起薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的均匀性较差，且不能实现源漏超浅结。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置，能够减少沟道效应、使得离子注入的深度均匀性较佳，进而使薄膜晶体管的阈值电压的均匀性较好，并实现源漏超浅结。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，包括：

利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；

在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；

对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。

进一步地，所述在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层包括：

对所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜的表面进行非晶化处理，在所述低温多晶硅薄膜表面形成所述非晶硅层。

进一步地，对所述低温多晶硅薄膜的表面进行非晶化处理包括：

向所述低温多晶硅薄膜表面注入非晶化材料，使得所述低温多晶硅薄膜表面的多晶硅处于非晶化状态，形成所述非晶硅层。

进一步地，所述非晶化材料为Si，Ge，C或Ar。

进一步地，所述对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入包括：

以薄膜晶体管的栅电极为掩膜板，对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。

进一步地，所述对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入之后还包括：

去除所述源区和漏区的非晶硅层。