[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201510035832.1 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104617151B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陆小勇;刘政;李小龙;田慧;孙亮;王祖强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅薄膜晶体管 低温多晶硅薄膜 薄膜晶体管 漏区 源区 表面形成 非晶硅层 显示装置 阵列基板 离子 制作 深度均匀性 沟道效应 阈值电压 超浅结 均匀性 漏电极 源电极 源层 源漏 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；
在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；
以薄膜晶体管的栅电极为掩膜板，对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入；
所述对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入之后还包括：
去除所述源区和漏区的非晶硅层。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层包括：
对所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜的表面进行非晶化处理，在所述低温多晶硅薄膜表面形成所述非晶硅层。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，对所述低温多晶硅薄膜的表面进行非晶化处理包括：
向所述低温多晶硅薄膜表面注入非晶化材料，使得所述低温多晶硅薄膜表面的多晶硅处于非晶化状态，形成所述非晶硅层。
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述非晶化材料为Si，Ge，C或Ar。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为
6.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，为采用如权利要求1-5中任一项所述的方法制作。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括形成在衬底基板上的如权利要求6所述的低温多晶硅薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
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