[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201510033065.0 | 申请日: | 2015-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN104576703B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
| 发明(设计)人: | 李彦松;李娜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板、以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置具有全固态、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制及可实现柔性显示等诸多优点,是二十世纪中期发展起来的一种新型显示技术。其优越的性能和巨大的市场潜力,吸引全世界众多厂家和科研机构投入到OLED显示装置的生产和研发中。
为了追求更大的开口率,中小尺寸OLED器件基本上都采用顶发光的模式,为了降低器件功耗、提高出光效率,通常会在阴极上方蒸镀一层光提取层,最大限度将器件中的光取出。例如,图1是现有技术中OLED器件的结构示意图,包括依次设置的阳极1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、阴极5、以及光提取层6,其中,发光层3中包括红色发光像素31、绿色发光像素32和蓝色发光像素33。然而,光通过光提取层6时也会产生损失,为了最大限度的提升光输出效率,必须降低光在光提取层6中的损失。现有的一种解决方法是在光提取层6上构造出微棱镜、光栅、微粒球和粗糙表面来提高光输出效率,制造过程比较复杂。
此外,在现有技术中,如果需要分别调节红、绿、蓝亚像素的出光效率,需要分别制作与红、绿、蓝亚像素相对应的厚度不同的红色光提取层61、绿色光提取层62和蓝色光提取层63,工艺流程复杂,并且使得显示面板的平整度较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板和显示装置,以提高光输出效率。
为解决上述技术问题,作为本发明的第一个方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括多个像素单元,每个所述像素单元包括发光二极管和设置在所述发光二极管的出光侧的光提取层,所述发光二极管发射的光线能够透过所述光提取层,所述光提取层包括量子点颗粒。
优选地,所述发光二极管包括从底层向顶层依次层叠设置的阳极、发光层、以及阴极,所述阴极由透明材料或半透明材料制成,光线从所述阴极出射,所述光提取层设置在所述阴极上方。
优选地,所述量子点颗粒由半导体材料形成。
优选地,所述半导体材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP和InAs中的任意一种或多种。
优选地,所述量子点颗粒的粒径在2-20nm之间。
优选地,所述光提取层由有机材料以及掺杂在所述有机材料中的量子点颗粒形成,或者,所述光提取层由无机材料以及掺杂在所述无机材料中的量子点颗粒形成。
优选地,所述光提取层由量子点颗粒形成。
优选地,所述发光二极管包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素,所述光提取层包括分别对应于所述红色发光像素、所述绿色发光像素和所述蓝色发光像素的第一区域、第二区域和第三区域,其中,位于所述第一区域中的量子点颗粒的粒径小于位于所述第二区域中的量子点颗粒的粒径,位于所述第二区域中的量子点颗粒的粒径小于位于所述第三区域中的量子点颗粒的粒径。
作为本发明的第二个方面,还提供一种显示面板,包括本发明所提供的上述阵列基板。
作为本发明的第三个方面,还提供一种显示装置,包括本发明所提供的上述显示面板。
本发明通过在光提取层中加入量子点颗粒,利用量子点颗粒对光线进行散射和反射,减少了光在光提取层中的损失,提高了器件的光输出效率。此外,本发明还可以通过调整光提取层中对应于红、绿、蓝发光区域的量子点颗粒的尺寸来分别调节红、绿、蓝发光区域的出光效率,与现有技术相比,降低了工艺难度,简化了制作流程。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。
图1是现有技术中OLED器件的结构示意图;
图2是本发明实施例中OLED器件的结构示意图;
图3是光线在光提取层中的光路示意图。
在附图中,1:阳极;2:空穴传输层;3:发光层;31:红色发光像素;32:绿色发光像素;33:蓝色发光像素;4:电子传输层;5:阴极;6:现有技术中的光提取层;61:红色光提取层;62:绿色光提取层;63:蓝色光提取层;7:本发明中的光提取层;71:第一区域;72:第二区域;73:第三区域;8:量子点颗粒。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





