[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201510033065.0 | 申请日: | 2015-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN104576703B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
| 发明(设计)人: | 李彦松;李娜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括发光二极管和设置在所述发光二极管的出光侧的光提取层,所述发光二极管发射的光线能够透过所述光提取层,其特征在于,所述光提取层包括量子点颗粒;所述发光二极管包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素,所述光提取层包括分别对应于所述红色发光像素、所述绿色发光像素和所述蓝色发光像素的第一区域、第二区域和第三区域,其中,位于所述第一区域中的量子点颗粒的粒径小于位于所述第二区域中的量子点颗粒的粒径,位于所述第二区域中的量子点颗粒的粒径小于位于所述第三区域中的量子点颗粒的粒径。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述发光二极管包括从底层向顶层依次层叠设置的阳极、发光层、以及阴极,所述阴极由透明材料或半透明材料制成,光线从所述阴极出射,所述光提取层设置在所述阴极上方。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述量子点颗粒由半导体材料形成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP和InAs中的任意一种或多种。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述量子点颗粒的粒径在2-20nm之间。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述光提取层由有机材料以及掺杂在所述有机材料中的量子点颗粒形成,或者,所述光提取层由无机材料以及掺杂在所述无机材料中的量子点颗粒形成。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述光提取层由量子点颗粒形成。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求 8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





