[发明专利]电子部件

说明书

技术领域

本发明属于半导体领域，尤其涉及一种能够将热量快速耗散的电子部件。

背景技术

半导体器件可在运行期间产生热。过量的热可降低器件的性能。减少过热对器件性能的影响一种途径是提供另外的散热部件，该另外的散热部件被热耦接至该产生热的半导体部件，并且被配置为将来自该半导体部件的热耗散开。

发明内容

在实施例中，一种电子部件包括被埋置在第一介电层中的一个或多个半导体裸片(dice)、埋置在第二介电层中的散热器(heat-spreader)以及被热耦接至该散热器的热沉(heat-sink)。与基本垂直于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向比，该散热器在基本平行于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上具有较高的导热性。

在实施例中，一种电子部件包括被埋置在第一介电层中的一个或多个半导体裸片、用于在基本平行于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上扩散热(spreading heat)的装置，以及用于在基本垂直于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上耗散热的装置，该用于扩散热的装置被埋置在第二介电层中。

附图说明

附图的元件相对于彼此不一定是按比例的。相同的附图标记表明对应的类似部分。所示出的各种实施例的特征可彼此，除非其彼此排斥。实施例在附图中被示出，并且在下面的具体实施方式中进行描述。

图1示出了根据第一实施例的一种电子部件的示意性剖视图；

图2示出了根据第二实施例的一种电子部件的示意性剖视图；

图3示出了电子部件中的散热路径的示意性剖视图；

图4示出了根据第一实施例的一种埋置在介电层中的散热器；

图5示出了根据第二实施例的一种埋置在介电层中的散热器；

图6示出了根据第三实施例的一种电子部件的示意性顶视图；

图7示出了根据第四实施例的一种电子部件的局部剖视图。

具体实施方式

下面的具体实施方式参考了附图，附图构成具体实施方式的一部分并且以举例说明的方式示出了本发明可以实施的特定实施例。就此而言，方向性术语比如“顶(top)”、“底(bottom)”、“前(front)”、“后(back)”、“前向(leading)”、“背向(trailing)”等，是参照所描述的附图方向被使用的。由于实施例的部件可被布置在多个不同的方向上，所以方向性术语被用于例证目的，而绝不是为了限制本发明。应当理解的是，不脱离本发明的范围，不脱离本发明的范围，可以采用其它的实施例并且可以做出结构上或者逻辑上的改变。因此，下面的具体实施方式不应被认为具有限制意义，并且本发明的范围由所附权利要求定义。

许多实施例将在下文中进行说明。在此情况下，相同的结构特征在附图中被标识为相同或类似的附图标记。在本说明书的上下文中，“横向(lateral)”或“横向方向(lateral direction)”应当被理解为意思是通常与半导体材料或半导体载体的横向延伸平行地延伸的方向或延伸。因此，横向方向通常与这些表面或侧面平行地延伸。与此相比，“垂直(vertical)”或“垂直方向(vertical direction)”应当被理解为意思是通常与这些表面或侧面垂直地延伸的方向，并且因此垂直于横向方向。因此，垂直方向在半导体材料或半导体载体的厚度方向上延伸。

如在本说明书中所采用，术语“耦接(coupled)”和/或“电耦接(electrically coupled)”并不意味着表示该元件必须直接耦接在一起——可以在该“耦接”或“电耦接”的元件之间提供中间元件。

如本文所用，“高电压器件(high-voltage device)”(比如，高电压耗尽模式晶体管)是被优化用于高电压的开关应用的电子器件。就是说，当晶体管关断时，其能够阻断高电压(比如，约300V或更高、约600V或更高，或者约1200V或更高)，并且当晶体管接通时，对于其所使用的应用，其具有足够低的导通电阻(RON)，即，当大电流流经该器件时其经历足够低的导通损耗。高电压器件至少能够阻断等于高电压供应或在其所被使用的电路中的最大电压的电压。高电压器件能够阻断300V、600V、1200V或由应用所需要的其他适当阻断电压。