[发明专利]电子部件有效

专利信息
申请号: 201510028090.X 申请日: 2015-01-20
公开(公告)号: CN104795373B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: M·斯坦丁 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 郑立柱
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件
【权利要求书】:

1.一种电子部件,包括

一个或多个半导体裸片,其形成至少一个晶体管器件并被埋置在第一介电层中;

散热器,其被埋置在第二介电层中,其中所述散热器在基本平行于所述一个或多个半导体裸片的主表面的方向上比在基本垂直于所述一个或多个半导体裸片的所述主表面的方向上具有更高的导热性,以及

热沉,其被热耦接至所述散热器,

其中所述一个或多个半导体裸片形成半桥电路,并且

其中所述散热器包括第一金属箔、第二金属箔和布置在所述第一金属箔和所述第二金属箔之间的石墨颗粒,并且在所述第一金属箔和所述第二金属箔中的至少一个中引入填充有金属的盲孔。

2.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述散热器被配置为将热传导至与所述一个或多个半导体裸片的侧面邻接的区域。

3.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述热沉在基本垂直于所述一个或多个半导体裸片的所述主表面的方向上具有的导热性高于所述散热器在基本垂直于所述一个或多个半导体裸片的所述主表面的方向上的导热性。

4.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述热沉被埋置在第三介电层中,所述第三介电层被布置在所述第二介电层上。

5.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述散热器和所述热沉提供自所述一个或多个半导体裸片的散热路径,所述散热路径具有的横向热阻随着与所述一个或多个半导体裸片的距离增加而增加。

6.如权利要求1所述的电子部件,进一步包括

多个热容构件,其具有的垂直导热性大于所述散热器的垂直导热性,所述多个热容构件被横向布置为邻接所述一个或多个半导体裸片。

7.如权利要求6所述的电子部件,

所述多个热容构件凸出至所述散热器之中,并且部分地中断所述散热器。

8.如权利要求6所述的电子部件,

其中所述多个热容构件从第一侧面凸出至所述散热器之中,和从第二侧面凸出至所述散热器之中。

9.如权利要求6所述的电子部件,

其中在所述多个热容构件中相邻的构件之间的间隔随着与所述一个或多个半导体裸片的距离的增加而减少。

10.如权利要求6所述的电子部件,

其中随着与所述一个或多个半导体裸片的共同距离增加,所述多个热容构件中相邻的构件之间的间隔减少。

11.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述散热器包括具有各向异性布置的颗粒,从而所述散热器包括各向异性的导热性。

12.如权利要求11所述的电子部件,

其中所述颗粒包括石墨。

13.如权利要求11所述的电子部件,

其中所述散热器包括第一金属层和第二金属层,并且所述颗粒被布置在所述第一金属层和所述第二金属层之间。

14.如权利要求1所述的电子部件,进一步包括

至少一个导电接触层,其被电耦接至一个或多个半导体裸片。

15.如权利要求1所述的电子部件,

其中一个或多个所述半导体裸片包括垂直晶体管器件,所述垂直晶体管器件具有第一电流接触焊盘、第二电流接触焊盘、第一导电接触层和第二导电接触层,所述第一电流接触焊盘被布置在第一表面上,所述第二电流接触焊盘被布置在第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对,所述第一导电接触层被电耦接至所述第一电流接触焊盘,所述第二导电接触层被电耦接至所述第二电流接触焊盘。

16.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述散热器通过第四介电层与所述一个或多个半导体裸片被电隔离。

17.如权利要求1所述的电子部件,

其中所述一个或多个半导体裸片包括第一主表面和第二主表面,所述第一主表面与所述第一介电层的第一主表面基本共面,所述第二主表面与所述第一介电层的第二主表面基本共面。

18.如权利要求1所述的电子部件,进一步包括

第二热沉,其被布置在所述第二介电层的外围区域中,所述第二热沉被热耦接至所述散热器。

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