[发明专利]一种柔性显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

 本发明有关一种柔性显示装置及其制作方法，特别是指一种成本低、弯曲程度大且不易使薄膜晶体管断裂的柔性显示装置及其制作方法。

背景技术

目前，柔性显示器的柔性基板各层结构均为无机物和金属，且各层厚度近似，在折弯时由于应力分布均匀，因此可能发生TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）位置由于折弯特性而造成偏移，甚至出现断裂。

为解决上述问题，现有技术中往往采用柔性较好、易于弯曲的材料制造柔性显示装置中的显示结构，例如用氧化物半导体(铟镓锌氧化物，IGZO) 或有机物半导体( 如酞菁铜，PcCu) 等取代薄膜晶体管有源区的硅基半导体材料。但是，并非所有的显示结构都能由柔性好的替代材料制造，其选材范围受限；且即使有替代材料，也不能保证其性能、成本等都达到现有材料的水平，因此替代材料的使用可能造成柔性显示装置性能的降低和成本的升高；另外，如果使用替代材料，则柔性显示基板的结构、制备工艺等都会发生明显变化，从而无法通过现有的工艺和设备制备。

目前还可以使用弹性材料层对柔性显示基板上的各种显示结构进行封装，以保护这些结构免受损伤。然而，弹性材料层虽可保护易损结构，但其也使柔性显示基板的变形受到限制，从而导致柔性显示装置的变形能力降低。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种制作简单、弯曲程度大且不易使TFT断裂的柔性显示装置及其制作方法。

为达到上述目的，本发明提供一种柔性显示装置制作方法，该方法包括如下步骤：

步骤一、在柔性基板上制作TFT层，将所述TFT层划分为像素区和像素间隔区，所述像素间隔区以行和列的方式间隔出多行多列的像素区；

步骤二、将所述像素间隔区的TFT层刻蚀直至柔性基板处，在经刻蚀后的像素间隔区内填充第一有机物平坦化层；

步骤三、在所述像素区和像素间隔区上制作金属线，所述金属线跨越所述像素间隔区的第一有机物平坦化层实现相邻像素区的电连接；

步骤四、在实现相邻像素电连接的TFT层上制作发光器件，所述发光器件包括像素单元，所述像素单元在柔性基板上的投影与所述TFT层的像素区在柔性基板上的投影重叠，各像素单元之间的区域在柔性基板上的投影与所述TFT层的像素间隔区在柔性基板上的投影重叠。

其中一个实施例中，在所述步骤三还包括如下工艺：在所述像素区制作通孔，所述金属线跨越所述像素间隔区通过所述通孔实现相邻像素区的电连接。

其中一个实施例中，在所述步骤三与步骤四之间进行如下工艺：在所述实现相邻像素电连接的TFT层上制作第二有机物平坦化层，覆盖所述金属线。

其中一个实施例中，所述第一有机物平坦化层与第二有机物平坦化层的材质为聚酰亚胺。

本发明还提供一种柔性显示装置，包括：

柔性基板；

设于所述柔性基板上的TFT层，所述TFT层包括像素区和像素间隔区，所述像素区被所述像素间隔区间隔成多行多列的阵列，所述像素间隔区内设有第一有机物平坦化层，各相邻的像素区通过所述第一有机物平坦化层上的金属线电连接；

设于所述TFT层上的发光器件，所述发光器件包括像素单元，所述像素单元在柔性基板上的投影与所述TFT层的像素区在柔性基板上的投影重叠，各像素单元之间的区域在柔性基板上的投影与所述TFT层的像素间隔区在柔性基板上的投影重叠。

其中一个实施例中，所述像素区设有通孔，所述金属线通过所述通孔连接所述各相邻的像素区。

其中一个实施例中，所述TFT层与所述发光器件之间还设有第二有机物平坦化层，所述第二有机物平坦化层覆盖所述金属线。

其中一个实施例中，所述第一有机物平坦化层和第二有机物平坦化层的材质为聚酰亚胺。

本发明将TFT分割为像素区与像素间隔区，像素间隔区为第一有机物平坦化层，由于有机物容易弯折，因此将柔性显示装置进行弯折时，应力会集中在像素间隔区，从而防止了像素区因为折弯而发生TFT特性改变或断裂的风险。

附图说明

图1为本发明柔性显示装置制作方法的步骤流程图；

图2为本发明柔性显示装置的俯视示意图；

图3为沿图2中A-A线的剖面图。

具体实施方式

为便于对本发明的结构及方法及达到的效果有进一步的了解，现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。

如图1至图3所示，本发明柔性显示装置制作方法包括如下步骤：