[发明专利]防爆整流管及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201510018159.0 申请日: 2015-01-14
公开(公告)号: CN104637887B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 曾文彬;任亚东;颜骥;李世平;潘学军;唐柳生;高超;刘栋 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L23/16 分类号: H01L23/16;H01L21/52
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;刘华联
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 防爆 整流管 及其 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种防爆整流管,包括:

管座,其包含底座以及环绕连接底座的瓷环;

管盖,其与管座连接形成管壳;

芯片组件,其设在管壳内;以及

防爆缓冲组件,其连接在管壳内,在芯片组件周围形成整流管内层密闭空间从而在爆炸时保护瓷环,所述防爆缓冲组件包括:

第一连接金属件,其设在芯片组件与管盖之间;

第一防爆缓冲环,其卡接在第一连接金属件上并与管盖连接;

第二连接金属件,其设在芯片组件与底座之间,并与芯片组件以及底座连接;以及

第二防爆缓冲环,其下端卡接在第二连接金属件以及底座上,其上端延伸过芯片组件并抵接在第一防爆缓冲环的外周面上。

2.根据权利要求1所述的防爆整流管,其特征在于,在爆炸发生时,所述防爆缓冲组件形成内层密闭空间,依靠自身变形来吸收因爆炸产生的冲击力,且防爆缓冲组件的防爆能力不小于65MA2s。

3.根据权利要求1所述的防爆整流管,其特征在于,所述防爆缓冲组件包括设在管盖与芯片组件的阴极钼片之间的第一连接铜块、设在底座与芯片组件的阳极钼片之间的第二连接铜块、与第一连接铜片连接的第一聚四氟乙烯环以及与第二连接铜块连接的第二聚四氟乙烯环。

4.根据权利要求1所述的防爆整流管,其特征在于,所述第一连接金属件的厚度为阴极钼片的厚度的1.5~3.5倍,所述第二连接金属件的厚度为阳极钼片的厚度的2~4倍。

5.根据权利要求1所述的防爆整流管,其特征在于,所述底座、第二连接金属件以及芯片组件的阳极钼片这三者固定连接,所述第二防爆缓冲环的断面为L型且下端形成向上延伸的阶梯,第二防爆缓冲环与第二连接金属件以及底座形成卡装。

6.根据权利要求3~5中任一项所述的防爆整流管,其特征在于,所述第一连接金属件的外周面的中部设有环状槽,第一防爆缓冲环的内环构造成阶梯状且设有与环状槽配合的环状凸起,且第一防爆缓冲环与第一连接金属件的外周面形成阶梯状过盈嵌装。

7.根据权利要求1所述的防爆整流管,其特征在于,所述第二防爆缓冲环与瓷环之间的间隙不小于2.5mm。

8.一种防爆整流管的封装方法,其特征在于,采用权利要求1~7中任一项所述的防爆整流管,所述防爆整流管的防爆缓冲组件包括第一连接金属件、第一防爆缓冲环、第二连接金属件以及第二防爆缓冲环,在封装时包括以下步骤:先将第二防爆缓冲环封装到底座上,然后封装第二连接金属件,再封装芯片组件,再然后组装第一连接金属件与第一防爆缓冲环,封装由第一连接金属件与第一防爆缓冲环组装后的组件,封装管盖。

9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,在组装第一连接金属件与第一防爆缓冲环时,先对第一防爆缓冲环加热软化,然后依据第一连接金属件的斜角将其卡入第一防爆缓冲环完成组装。

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