[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及对在表层形成有具有多孔结构的膜(多孔膜)的基板进行处理的技术。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，进行如下的清洗处理，即，从半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板除去异物。关于清洗处理，例如在专利文献1、2中公开了如下技术，即，利用所谓双流体喷嘴，使纯水和气体进行混合来生成纯水的液滴，朝向基板喷射该纯水的液滴，通过纯水的液滴与基板发生碰撞时的动能，物理性地除去在基板上附着的异物。

但是，近几年，要求层间绝缘膜具有低介电常数，采用了如下的技术，即，应用如下技术，即，通过具有多孔结构的多孔膜形成致密膜难以实现的、介电常数为2.5以下的膜(所谓的超低介电常数膜：ULK膜)。

如专利文献3所记载那样，这样的多孔膜讨厌水(由于水使介电常数发生变化)，不优选通过纯水对多孔膜进行清洗。因此，例如在专利文献3中提出如下技术，即，不利用纯水而利用IPA(异丙醇)，来清洗具有多孔膜的基板。

专利文献1：日本特开2009－21617号公报

专利文献2：日本特开2011－77153号公报

专利文献3：日本特开2003－275696号公报

但是，在设液滴的生成条件(处理液的流量以及气体的流量)相同，若对利用IPA作为处理液来用IPA的液滴清洗基板的情况和利用纯水作为处理液来用纯水的液滴清洗基板的情况进行比较，则发现只能获得前者比后者低的异物除去效果。因此，在不利用纯水而仅用IPA的液滴来清洗表层上形成有多孔膜的基板的情况下，虽然抑制基板的损伤，但是存在如下缺点，即，若不持续喷出IPA的液滴相当的时间，则不能从基板充分除去异物。在该方式中，使处理时间变长，使IPA的消耗量也增加。因此，要寻找能够充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的其它方法。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的技术。

第一方式为基板处理方法，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多孔膜具有多孔结构，包括：第一工序，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成所述第一处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，第二工序，在进行所述第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成所述第二处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，将进入所述多孔膜的表面所露出的孔中的所述第一处理液置换为所述第二处理液，所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。

第二方式的基板处理方法，在第一方式的基板处理方法中，所述第一处理液为纯水。

第三方式的基板处理方法，在第一方式的基板处理方法中，所述第二处理液为异丙醇。

第四方式的基板处理方法，在第一至第三中任一方式的基板处理方法中，在所述第一工序中，一边使所述第一处理液的液滴的着落位置移动，一边朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴。

第五方式的基板处理方法，在第一至第三中任一方式的基板处理方法中，在所述第二工序中，一边使所述第二处理液的液滴的着落位置移动，一边朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴。

第六方式为基板处理装置，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多孔膜具有多孔结构，具有：保持部，保持基板，双流体喷嘴，使处理液和气体进行混合来生成所述处理液的液滴，并喷射所述液滴，控制部，使所述双流体喷嘴生成含有水的第一处理液的液滴，并使所述双流体喷嘴朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，然后，使所述双流体喷嘴生成第二处理液的液滴，并使所述双流体喷嘴朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，将进入所述多孔膜的表面所露出的孔中的所述第一处理液置换为所述第二处理液，所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。

根据第一至第六方式，首先，通过含有水的第一处理液的液滴有效地除去在基板上附着的异物。此时，进入多孔膜的多孔内的第一处理液在下一工序中置换为第二处理液，从多孔内除去。因此，不会因含有水的第一处理液残留在多孔内而对基板带来损伤。另外，多孔内的第二处理液迅速地挥发，因此第二处理液也不会对基板带来损伤。这样，根据第一至第六方式，能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板。