[发明专利]一种简单可靠的电池过度放电保护电路有效
| 申请号: | 201510012572.6 | 申请日: | 2015-01-09 | 
| 公开(公告)号: | CN104600674B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 | 
| 发明(设计)人: | 汪军;张艳平;幸兴 | 申请(专利权)人: | 广东瑞德智能科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 | 
| 代理公司: | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人: | 张文雄 | 
| 地址: | 528300 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电阻 可控硅 电池 门极 过度放电 二极管 电池电压 电容 跨接 电路 电池使用寿命 阴极 控制负载 外接电源 有效解决 源极连接 阳极 输出端 并联 过放 漏极 源极 重启 | ||
本发明涉及一种简单可靠的电池过度放电保护电路,其特征在于:包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1‑R8、电容EC1及C1和二极管D1;MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT,电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间,MOS管Q1的栅极通过电阻R2连接可控硅U1的阴极、漏极连接输出端Vout及通过电阻R3、R4连接可控硅U1的门极,电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间;电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极,外接电源端Vcc in通过电阻R8、二极管D1连接可控硅U1的门极。本发明能有效解决电池出现虚压引起电池过度放电问题,具有控制负载的重启、防止电池深度过放、延长电池使用寿命的特点。
技术领域:
本发明涉及一种简单可靠的电池过度放电保护电路,适用于太阳能储能器的充/放电电池的保护。属于新能源系统中开关电源以及控制器技术领域。
背景技术:
在能源枯竭与环境污染问题日益严重的今天,新能源的开发与利用愈来愈受到重视。太阳能以其清洁环保、蕴藏丰富等优点逐步得到了开发利用,各种各样的太阳能系统逐步走进人们的生活,作为重要储能器件的可充/放电电池也得到广泛应用,如铅酸蓄电池,锂电池等。此类电池可通过太阳能进行充电,然后给不同的直流负载供电,也就是使用充/放电控制器对电池进行管理,其中控制器的设计中电池过流放电保护电路是非常重要环节,会直接影响电池使用寿命,目前一般的控制器在电池过放保护电路的设计还存在如下缺点:(1)由于电池存在虚压,会导致电池过度放电的问题。(2)过度放电保护启动后,电路重新工作不及时。(3)过度放电保护电路结构复杂。
综合以上所述的问题目前仍未被解决,为此本发明提供一种简单可靠的电池过度放电保护电路。
发明内容:
本发明的目的,是为了解决现有技术的电池过度放电保护电路结构复杂、电路重新工作不及时的问题,提供一种简单可靠的电池过度放电保护电路。
本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到:
一种简单可靠的电池过度放电保护电路,其结构特点在于:包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1-R8、电容EC1及C1和二极管D1;MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT及通过电容EC1接地GND,MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout,形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路;可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc in,可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极,形成MOS管Q1重启回路;电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间,可控硅U1的门极通过电阻R3、R4连接MOS管Q1的漏极,电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间,可控硅U1的阳极接地GND;电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极。
本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到:
本发明的一种实施方式是:MOS管Q1为P型MOS管。
本发明具有如下突出的有益效果:
1、本发明通过MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout,形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路;当电池因过度放电而欠压时,MOS管Q1关闭停止给负载供电,只有当Vcc_in有一定电压时,通过可控硅U1控制MOS管即重新开启,从而给负载供电及给电池充电,其控制方法简单,能有效解决电池出现虚压引起电池过度放电问题,具有电路结构、防止电池深度过放和延长电池使用寿命的有益效果。
2、本发明通过可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vccin,可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极,形成MOS管Q1重启回路,当外电源输入端Vcc in输入一定电压值时,即可通过可控硅U1控制MOS管即重新开启,本发明利用外部电源重启电路工作,具有电路重启快速、及时的有益效果。
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