[发明专利]一种简单可靠的电池过度放电保护电路有效
| 申请号： | 201510012572.6 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104600674B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 汪军;张艳平;幸兴 | 申请（专利权）人： | 广东瑞德智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/18 | 分类号： | H02H7/18 |
| 代理公司： | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人： | 张文雄 |
| 地址： | 528300 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 可控硅 电池 门极 过度放电 二极管 电池电压 电容 跨接 电路 电池使用寿命 阴极 控制负载 外接电源 有效解决 源极连接 阳极 输出端 并联 过放 漏极 源极 重启 | ||
【权利要求书】：
1.一种简单可靠的电池过度放电保护电路，其特征在于：包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1-R8、电容EC1及C1和二极管D1；MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT及通过电容EC1接地GND，MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout，形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路；可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc_in，可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极，形成MOS管Q1重启回路；电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间，可控硅U1的门极通过电阻R3、R4的串联组合连接MOS管Q1的漏极，电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间，可控硅U1的阳极接地GND；电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极。
2.根据权利要求1所述的一种简单可靠的电池过度放电保护电路，其特征在于：MOS管Q1为P型MOS管。
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