[发明专利]静电保护电路在审
| 申请号: | 201510005039.7 | 申请日: | 2015-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN104578034A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
| 发明(设计)人: | 单毅 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 保护 电路 | ||
1.一种静电保护电路,其特征在于,包括:
输入/输出引脚、电源输出端、接地端、功能单元和钳位电路,所述功能单元分别与所述电源输出端和所述接地端连接,所述钳位电路与所述电源输出端和所述接地端连接,所述功能单元通过一节点与所述输入/输出引脚连接,所述节点与所述电源输出端之间串联一第一单向导通单元,所述节点与所述接地端串联一第二单向导通单元;其中
所述节点与所述电源输出端之间还串联一第一LC回路;或
所述节点与所述接地端之间还串联一第二LC回路;或
所述节点与所述电源输出端之间串联所述第一LC回路,且所述节点与所述接地端之间串联所述第二LC回路。
2.如权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述钳位电路包括二极管串结构、NMOS晶体管,所述二极管串结构连接所述电源输出端和所述NMOS晶体管的栅极,所述NMOS晶体管的源极接所述电源输出端,所述NMOS晶体管的漏极接所述接地端。
3.如权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,所述NMOS晶体管的栅极和漏极之间串联一第一电阻。
4.如权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,所述二极管串结构包括至少三个串联的二极管。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一单向导通单元的负极连接所述电源输出端。
6.如权利要求5所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一单向导通单元为一第一二极管。
7.如权利要求5所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一LC回路包括一第一电感和一第一电容,所述第一电感和所述第一电容并联后连接于所述节点与所述第一单向单通单元的正极之间。
8.如权利要求7所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一电容为一第三二极管,所述第三二极管负极连接所述节点。
9.如权利要求1至4中任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述 第二单向导通单元的正极连接所述接地端。
10.如权利要求8所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二单向导通单元为一第二二极管。
11.如权利要求8所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二LC回路包括一第二电感和一第二电容,所述第二电感和所述第二电容并联后连接于所述节点与所述第二单向单通单元的负极之间。
12.如权利要求11所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二电容为一第四二极管,所述第四二极管正极连接所述节点。
13.如权利要求1至4中任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述功能单元为一具有一中心工作频率的射频电路。
14.如权利要求13中任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一LC回路的谐振频率与所述功能单元的中心工作频率一致。
15.如权利要求13中任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二LC回路的谐振频率与所述功能单元的中心工作频率一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510005039.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:直流微网的下垂控制改进方法
- 下一篇:高压开关柜中断路器与静插座的连接结构





