[发明专利]制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板

说明书

提供了一种制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板，所述方法具有简化的工艺并解决了上图案和下图案对准问题。半导体封装基板通过所述方法来制造。制造半导体封装基板的方法包括如下步骤：在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽；用树脂填充第一凹槽；以及蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。

本申请要求于2014年1月3日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0000832号韩国专利申请以及于2014年1月3日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0000833号韩国专利申请的权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的一个或更多个实施例涉及一种制造半导体封装基板的方法以及一种使用该方法制造的半导体封装基板，更具体地，涉及一种制造具有简化的工艺并且解决了上图案和下图案对准问题的半导体封装基板的方法，以及一种使用该方法制造的半导体封装基板。

背景技术

半导体器件通过被封装在半导体封装基板中来使用。封装有半导体器件的半导体封装基板具有精细电路图案和/或I/O端子。随着对半导体器件的高性能和/或高集成度以及使用半导体器件的电子器件的小型化和/或高性能的追求，半导体封装基板的精细电路图案具有比在现有技术中相关的半导体封装基板中的电路图案薄的线宽和高的复杂度。

在制造现有技术的半导体封装基板时，使用累积铜箔的覆铜箔层压板(CCL)来形成通孔，并镀覆通孔的内表面使得上表面铜箔和下表面铜箔电连接。然后，使用光致抗蚀剂来将上表面铜箔和下表面铜箔图案化，由此制造半导体封装基板。然而，根据现有技术的半导体封装基板制造方法，制造工艺变得复杂并且降低了精度。

发明内容

本发明的一个或更多个实施例包括一种简化了工艺并且解决了上图案和下图案的对准问题的制造半导体封装基板的方法，以及一种使用该方法制造的半导体封装基板。

另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且通过该描述部分地将是明显的，或者可以通过提供的实施例的实践来得知。

根据本发明的一个或更多个实施例，一种制造半导体封装基板的方法包括下述步骤：在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽；用树脂填充第一凹槽；以及蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。

在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，可蚀刻基体基板的所述另一表面的整个表面。在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，可蚀刻基体基板的所述另一表面，使得基体基板的保留在基体基板的所述一个表面中的部分的图案与基体基板的在基体基板的所述另一表面中的部分的图案对应。

所述方法还可包括在基体基板的所述另一表面中形成第二凹槽。

在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽的宽度和第二凹槽的宽度可形成为彼此不同。

在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，可形成第一凹槽和第二凹槽使得第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。

在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽和第二凹槽可形成为彼此对应。

在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，可蚀刻基体基板的所述另一表面的整个表面。在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，可蚀刻基体基板的所述另一表面，使得基体基板的保留在基体基板的所述一个表面中的部分的图案与基体基板的保留在基体基板的所述另一表面中的部分的图案对应。

根据本发明的一个或更多个实施例，通过制造半导体封装基板的方法来制造半导体封装基板，制造半导体封装基板的方法包括下述步骤：在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽；用树脂填充第一凹槽；以及蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。

附图说明

通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：