[发明专利]制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板有效
| 申请号： | 201510002256.0 | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104766832B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 姜圣日;裴仁燮;秦敏硕 | 申请（专利权）人： | 海成帝爱斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;王占杰 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体封装基板的方法，所述方法包括下述步骤：
在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽；
在基体基板的另一表面中形成第二凹槽；
用树脂填充第一凹槽；以及
蚀刻基体基板的所述另一表面的整个表面以暴露填充第一凹槽的树脂，
其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽和第二凹槽形成为彼此对应，
其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽和第二凹槽同时形成，
其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽的深度与第二凹槽的深度的总和是基体基板的厚度的80％至90％，
其中，在蚀刻基体基板的所述另一表面的步骤中，蚀刻基体基板的所述另一表面使得基体基板的保留在基体基板的所述一个表面中的部分的图案与基体基板的在基体基板的所述另一表面中的部分的图案对应。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽的宽度和第二凹槽的宽度形成为彼此不同。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，形成第一凹槽和第二凹槽使得第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。
4.一种半导体封装基板，所述半导体封装基板通过如权利要求1所述的方法来制造。
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