[发明专利]一种吸附装置及其工作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种吸附装置及其工作方法。

背景技术

现有技术中的吸附装置进行等离子体加工时，所述吸附装置的温度通常由于产生的等离子体的作用而升高。另外，在多个工序进行一系列的加工工艺中，各工序之间的基片温度必定有很大的变化，从而使得所述吸附装置的温度有时也会有很大的变化。所述吸附装置的温度变化会影响所述吸附装置的电阻率，例如，当温度变高时，所述吸附装置的电阻率变低。当温度变低时，所述吸附装置的电阻率变高。所述吸附装置的电阻率根据温度如此变化，使得所述吸附装置的吸附力也会根据温度的变化而发生变化。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种吸附装置及其工作方法，用于解决现有技术中吸附装置的温度变化引起吸附力发生变化的问题。

为此，本发明提供一种吸附装置，包括承载模块、电源模块、温度检测模块和电压控制模块，所述承载模块分别与所述电源模块和所述温度检测模块连接，所述电源模块与所述电压控制模块连接，所述温度检测模块与所述电压控制模块连接；所述承载模块用于吸附并承载基片；所述电源模块用于向所述承载模块加载直流电压以使所述承载模块产生吸附力；所述温度检测模块用于检测所述承载模块的温度；所述电压控制模块用于根据所述温度控制所述电源模块输出的直流电压，以使所述吸附力为恒定值。

可选的，还包括反向模块，所述反向模块分别与所述承载模块和所述电源模块连接；所述反向单元用于将所述直流电压的极性反向，以使所述承载模块产生与所述吸附力相反的作用力。

可选的，所述电压控制模块还用于当所述温度比预定温度高时，控制所述电源模块降低所述直流电压，当所述温度比预定温度低时，控制所述电源模块提高所述直流电压。

可选的，还包括时间控制模块，所述时间控制模块分别与所述承载模块和所述反向模块连接；所述时间控制模块用于当所述直流电压的极性反向时，根据所述温度控制极性反向的直流电压的施加时间，以中和所述承载模块的电荷。

可选的，所述时间控制模块还用于当所述温度比预定温度高时，控制所述极性反向的直流电压的施加时间大于预定时间，当所述温度比预定温度低时，控制所述极性反向的直流电压的施加时间小于所述预定时间。

本发明还提供一种吸附装置的工作方法，所述吸附装置包括承载模块、电源模块、温度检测模块和电压控制模块，所述承载模块分别与所述电源模块和所述温度检测模块连接，所述电源模块与所述电压控制模块连接，所述温度检测模块与所述电压控制模块连接；所述工作方法包括：所述承载模块吸附并承载基片；所述电源模块向所述承载模块加载直流电压以使所述承载模块产生吸附力；所述温度检测模块检测所述承载模块的温度；所述电压控制模块根据所述温度控制所述电源模块输出的直流电压，以保持所述吸附力恒定。

可选的，所述吸附装置还包括反向模块，所述反向模块分别与所述承载模块和所述电源模块连接；所述工作方法还包括：所述反向单元将所述直流电压的极性反向，以使所述承载模块产生与所述吸附力相反的作用力。

可选的，所述电压控制模块根据所述温度控制所述电源模块输出的直流电压的步骤包括：当所述温度比预定温度高时，所述电压控制模块控制所述电源模块降低所述直流电压；当所述温度比预定温度低时，所述电压控制模块控制所述电源模块提高所述直流电压。

可选的，所述吸附装置还包括时间控制模块，所述时间控制模块分别与所述承载模块和所述反向模块连接；所述工作方法还包括：当所述直流电压的极性反向时，所述时间控制模块根据所述温度控制极性反向的直流电压的施加时间，以中和所述承载模块的电荷。

可选的，所述当所述直流电压的极性反向时，所述时间控制模块根据所述温度确定极性反向的直流电压的施加时间的步骤包括：当所述温度比预定温度高时，所述时间控制模块控制所述极性反向的直流电压的施加时间大于预定时间；当所述温度比预定温度低时，所述时间控制模块控制所述极性反向的直流电压的施加时间小于所述预定时间。

本发明具有下述有益效果：