[其他]ESD保护器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及从静电放电保护电子电路的ESD保护器件。

背景技术

作为半导体装置的一种，有ESD(Electro-Static-Discharge：静电放电)保护器件。ESD保护器件从静电等保护半导体IC等。在以移动体通信终端、数码相机、笔记本型PC为代表的各种电子设备中，具备构成逻辑电路、存储器电路等的半导体集成电路。这样的半导体集成电路是由形成在半导体基板上的微细配线图案构成的低电压驱动电路，所以一般对于浪涌这样的静电放电较为脆弱。因此，为了从浪涌保护这样的半导体集成电路，而使用ESD保护器件。在专利文献1中，公开了一种能够应对正向、反向的任意方向的浪涌的双向的ESD保护电路。

专利文献1：日本特开平5－268123号公报

另外，近年来存在许多运用了高频技术的电子设备。在高频区域中，传输路径上所产生的ESR(等效串联电阻)、ESL(等效串联电感)以及寄生电容等左右电流的供给效率，成为能量损耗的原因。特别是，在高频频带使用ESD保护电路的情况下，若ESL变大则钳位电压变高，所以存在无法从浪涌保护半导体集成电路这样的问题。该问题在专利文献1中没能解决。

实用新型内容

因此，本实用新型的目的在于提供一种抑制ESL、并将钳位电压抑制得较低的ESD保护器件。

本实用新型所涉及的ESD保护器件的特征在于，具备：齐纳二极管，其形成于半导体基板；第1电路，其形成于上述半导体基板，在上述第1电路中，第1二极管以及第2二极管以正向一致的方式串联连接，并且上述第1电路与上述齐纳二极管以正向一致的方式并联连接；第2电路，其形成于上述半导体基板，在上述第2电路中，第3二极管以及第4二极管以正向一致的方式串联连接，并且上述第2电路与上述齐纳二极管以正向一致的方式并联连接；第1输入输出电极，其与上述第1二极管及上述第2二极管的连接点连接，并且形成于上述半导体基板的表面；以及第2输入输出电极，其与上述第3二极管及上述第4二极管的连接点连接，并且形成于上述半导体基板的表面，上述第1二极管以及上述第3二极管形成于上述半导体基板的表面，上述第2二极管以及上述第4二极管形成在上述半导体基板的厚度方向上，俯视时，上述半导体基板具有长边方向以及与上述长边方向正交的短边方向，上述第1输入输出电极以及上述第2输入输出电极分别形成在上述半导体基板的短边方向的两端部。

在该构成中，ESD保护器件的第1以及第2输入输出电极在半导体基板上形成于较近的位置，所以能够缩短ESD保护器件的电流路径。其结果是，能够抑制ESL的产生，能够避免钳位电压变高。

优选上述ESD保护器件具备形成于上述半导体基板的表面的再配线层，上述再配线层包括：与上述半导体基板的表面对置的第1配线电极以及第2配线电极、使上述第1输入输出电极及上述第1配线电极的一部分导通的第1接触孔、使上述第2输入输出电极及上述第2配线电极的一部分导通的第2接触孔，俯视时，在上述再配线层形成有使上述第1配线电极以及上述第2配线电极的一部分露出的第1开口以及第2开口，上述第1开口以及上述第2开口分别形成在上述半导体基板的上述长边方向的两端部。

在该构成中，成为ESD保护器件的外部输入输出端子的第1开口以及第2开口被设置于半导体基板的长边方向的两端部，所以向基板安装ESD保护器件变得容易。

优选在上述半导体基板的面方向上，上述第1二极管具有从上述第1输入输出电极起正向为相互相反方向的两个二极管，在上述半导体基板的面方向上，上述第3二极管具有从上述第2输入输出电极起正向为相互相反方向的两个二极管。

在该构成中，若在两个二极管中流动电流，则电流分别向相反方向流动，所以因电流流动而产生的磁场相互抵消。因此，电流路径的电感变小，能够实现更低ESL。

根据本实用新型，通过缩短ESD保护器件的电流路径，能够抑制ESL的产生，将钳位电压抑制得较低。

附图说明

图1是实施方式所涉及的ESD保护器件的主视剖面图。

图2是ESD保护器件的各层的俯视图。

图3是表示形成于Si基板的ESD保护电路的图。

图4是表示ESD保护电路的结构例的图。

图5是图4所示的结构的Si基板的示意图。

图6A是表示实施方式所涉及的ESD保护器件的连接例的图。

图6B是表示实施方式所涉及的ESD保护器件的连接例的图。

图7是用于说明实施方式所涉及的ESD保护器件的动作原理的图。