[其他]ESD保护器件有效
申请号: | 201490000467.X | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN205081096U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 加藤登;中矶俊幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04;H01L29/866 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | esd 保护 器件 | ||
1.一种ESD保护器件,其中,
所述ESD保护器件具备:
齐纳二极管,其形成于半导体基板;
第1电路,其形成于所述半导体基板,在所述第1电路中,第1二极管以及第2二极管以正向一致的方式串联连接,并且所述第1电路与所述齐纳二极管以正向一致的方式并联连接;
第2电路,其形成于所述半导体基板,在所述第2电路中,第3二极管以及第4二极管以正向一致的方式串联连接,并且所述第2电路与所述齐纳二极管以正向一致的方式并联连接;
第1输入输出电极,其与所述第1二极管及所述第2二极管的连接点连接,并且形成于所述半导体基板的表面;以及
第2输入输出电极,其与所述第3二极管及所述第4二极管的连接点连接,并且形成于所述半导体基板的表面,
所述第1二极管以及所述第3二极管形成于所述半导体基板的表面,
所述第2二极管以及所述第4二极管形成在所述半导体基板的厚度方向上,
在所述半导体基板的面方向上,所述第1二极管具有从所述第1输入输出电极起正向为相互相反方向的两个二极管,
在所述半导体基板的面方向上,所述第3二极管具有从所述第2输入输出电极起正向为相互相反方向的两个二极管,
俯视时,所述半导体基板具有长边方向以及与所述长边方向正交的短边方向,
所述第1输入输出电极以及所述第2输入输出电极分别形成在所述半导体基板的短边方向的两端部。
2.根据权利要求1所述的ESD保护器件,其中,
所述第1二极管所具有的两个二极管彼此并联连接,
所述第2二极管所具有的两个二极管彼此并联连接。
3.根据权利要求1或2所述的ESD保护器件,其中,
所述ESD保护器件具备形成于所述半导体基板的表面的再配线层,
所述再配线层包括:与所述半导体基板的表面对置的第1配线电极以及第2配线电极、使所述第1输入输出电极及所述第1配线电极的一部分导通的第1接触孔、使所述第2输入输出电极及所述第2配线电极的一部分导通的第2接触孔,
俯视时,在所述再配线层形成有使所述第1配线电极以及所述第2配线电极的一部分露出的第1开口以及第2开口,
所述第1开口以及所述第2开口分别形成在所述半导体基板的所述长边方向的两端部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造