[其他]处理腔室及用于将热线源耦接至该处理腔室的装置有效
| 申请号: | 201490000460.8 | 申请日: | 2014-03-07 | 
| 公开(公告)号: | CN205177785U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 | 
| 发明(设计)人: | 乔·格里菲思·克鲁兹;哈恩·阮;兰迪·弗拉纳;卡尔·阿姆斯特朗 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 | 
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 | 
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 | 
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 用于 热线 源耦接至 装置 | ||
技术领域
本实用新型的实施方式一般涉及半导体基板处理。
背景技术
发明人已经观察到,使用热线源(hotwiresource)的传统处理腔室通常包括灯丝(线)构造,灯丝(线)构造在没有导致处理腔室的无法接受的停工期的情况下,是不容易改变或更换的。
因此,根据本实用新型的某些实施方式,发明人提供一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置。
实用新型内容
使用热线源的传统处理腔室通常包括灯丝(线)构造,灯丝(线)构造在没有导致处理腔室的无法接受的停工期的情况下,是不容易改变或更换的。为了克服上述缺陷,本实用新型提供一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置。
本文提供一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在某些实施方式中,一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置可包括:壳体,所述壳体具有开放端与通孔,所述通孔穿过所述壳体的顶部与底部而形成;以及灯丝组件,所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内,所述灯丝组件具有框部与多个灯丝,所述多个灯丝设置成横跨所述框部,其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时,所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部,且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。
在某些实施方式中,一种处理腔室可包括:腔室主体,所述腔室主体具有盖子;热线源,所述热线源耦接至所述腔室主体,所述热线源包括:壳体,所述壳体具有第一开放端与通孔,所述通孔穿过所述壳体的顶部与底部而形成,所述通孔被配置成对应于设置于所述处理腔室内的喷头,其中所述壳体的所述顶部被配置成耦接于所述腔室主体的所述盖子,且所述壳体的所述底部被配置成耦接于所述腔室主体;以及灯丝组件,所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内,所述灯丝组件具有框部与多个灯丝,所述多个灯丝设置成横跨所述框部,其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时,所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部,且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。
本实用新型的其他与进一步实施方式叙述于下。
本实用新型装置可有利地提供可以容易移除且更换的灯丝组件,由此允许被不同地配置的灯丝组件能被安装在处理腔室内,以执行期望的处理。另外,本实用新型装置可促成原本并非配置来与热线源一起使用的处理腔室的翻新改进。
附图说明
通过参照附图中绘示的本实用新型的例示实施方式,可理解在下面更详细讨论且简要概述于上的本实用新型的实施方式。但是,注意到,附图只例示本实用新型的典型实施方式,因此不视为限制本实用新型的范围,因为本实用新型可容许其他等效实施方式。
图1示出根据本实用新型的某些实施方式的用于将热线源耦接至处理腔室的装置。
图2示出根据本实用新型的某些实施方式的用于将热线源耦接至处理腔室的装置的一部分。
图3示出根据本实用新型的某些实施方式的用于将热线源耦接至处理腔室的装置的一部分。
图3A示出根据本实用新型的某些实施方式的图3中所示的装置的细部。
图4示出根据本实用新型的某些实施方式的处理腔室,所述处理腔室适于与用于将热线源耦接至处理腔室的装置一起使用。
为了助于理解,已经在任何可能的地方使用相同的元件符号来表示附图中共同的相同元件。附图未按比例绘制,且可以为了清楚加以简化。预期一个实施方式的元件与特征可有利地并入其他实施方式中,而不用另外详述。
具体实施方式
本文提供用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在至少某些实施方式中,本实用新型装置可有利地提供可以容易移除且更换的灯丝组件,由此允许被不同地配置的灯丝组件能被安装在处理腔室内,以执行期望的处理。另外,本实用新型装置可促成原本并非配置来与热线源一起使用的处理腔室的翻新改进。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





