[其他]溅镀靶材组件

说明书

技术领域

本实用新型的实施方式一般涉及一种掺杂的锌溅镀靶材。

背景技术

氧化铟镓锌(Indium-gallium-zincoxide,IGZO)是一种有名的半导体材料，具有高迁移率(mobility)。IGZO是被普遍认为将可用于下一代薄膜晶体管(TFT)的半导体材料的多种金属氧化物半导体材料之一。对于IGZO来说，可以得到在约30cm²/V-s与约40cm²/V-s之间的迁移率。然而，在生产中，IGZO并不是非常稳定的。为了增加IGZO的稳定性，需牺牲迁移率，使迁移率小于10cm²/V-s，从而得到TFT中的稳定IGZO膜。

IGZO并非被认为是用于下一代TFT的唯一金属氧化物半导体材料。氧化锌和氮氧化锌也被认为是金属氧化物半导体TFT的合适选择。氧化锌和氮氧化锌具有高于IGZO的迁移率，但与IGZO同样遭遇迁移率稳定性问题。为了获得稳定的锌基半导体膜，需牺牲迁移率。

因此，本领域中需要稳定形成锌基半导体材料而同时维持高迁移率。

实用新型内容

本实用新型一般涉及一种由锌和掺杂物组成的溅镀靶材。锌被用于金属氧化物半导体材料，如IGZO、氧化锌和氮氧化锌。所述锌可通过在期望气氛下溅镀锌靶材来传递。如果使用纯锌溅镀靶材，除非使迁移率减至10cm²/V-s以下，否则无法生产稳定的膜。通过添加一掺杂物(如镓)，不仅可以沉积稳定的膜，而且所述膜会具有大于30cm²/V-s的迁移率。所述掺杂物可直接并入所述锌中，或者作为直接邻近锌溅镀靶材的单独溅镀靶材。

在一个实施方式中，溅镀靶材组件包括：背管；以及溅镀靶材，所述溅镀靶材被耦接至所述背管，并包含锌和分散(disperse)在所述锌中的一或多个掺杂物(dopant)。

在另一实施方式中，溅镀靶材组件包括：背管；第一溅镀靶材，所述第一溅镀靶材被耦接至所述背管，并包含锌；以及第二溅镀靶材，所述第二溅镀靶材被耦接至所述背管，邻近所述第一溅镀靶材设置，并且包含选自由以下项组成的组中的一或多项：镓、铟、In₂O₃、GaO、GaN、GeO、GeO₂、锡、氧化锡、钌、RuO₂、铪、钛、TiO₂、TiN、硅、SiO_x(其中x是1或2)、硼、B₂O₃、及其组合。

附图说明

因此，为了详细理解本实用新型的上述特征结构的方式，上文简要概述的本实用新型的更具体的描述可以参照实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附图仅图示了本实用新型的典型实施方式，并且因此不应被视为本实用新型的范围的限制，因为本实用新型可允许其他等效实施方式。

图1是根据一个实施方式的物理气相沉积(PVD)的示意横截面图。

图2A是根据一个实施方式的溅镀靶材的示意图。

图2B是根据另一实施方式的溅镀靶材的示意图。

图2C是根据另一实施方式的溅镀靶材的示意图。

图3A和图3B是根据本实用新型的实施方式的分别被喷涂到背管和背板上的靶材的示意图。

为了促进理解，已尽可能使用相同参考数字指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式中公开的要素可有利地用于其他实施方式，而无需具体地指明。

具体实施方式

本实用新型一般涉及一种由锌和掺杂物组成的镀溅靶材。锌被用于金属氧化物半导体材料，如IGZO、氧化锌和氮氧化锌。锌可通过在期望气氛下溅镀锌靶材来传递。如果使用纯锌溅镀靶材，除非使迁移率(mobility)减至10cm²/V-s以下，否则无法生产稳定的膜。通过添加一掺杂物(如镓)，不仅可以沉积稳定的膜，而且所述膜会具有大于30cm²/V-s的迁移率。掺杂物可直接并入锌中，或者作为直接邻近锌溅镀靶材的单独溅镀靶材。