[其他]天线装置、无线通信终端有效
| 申请号: | 201490000391.0 | 申请日: | 2014-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN205264860U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
| 发明(设计)人: | 伊藤宏充;加藤登 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01Q7/00 | 分类号: | H01Q7/00;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡秋瑾 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 天线 装置 无线通信 终端 | ||
技术领域
本实用新型涉及收发高频信号的天线装置及无线通信终端。
背景技术
作为现有的天线装置,如专利文献1、2所示,具备由形成在基板的表面上的螺旋形状的导体图案构成的天线线圈的天线装置较多地投入了实际应用。
在将这样的天线装置与外部电路相连接的情况下,大多使与天线线圈的内周端及外周端相连接的端子接近并对齐来进行配置。因此,需要使用以下结构:将天线线圈的内周端(螺旋形状的导体图案的内周端)走线到螺旋形状的外侧区域的结构;将天线线圈的外周端(螺旋形状的导体图案的外周端)走线到螺旋形状的内侧区域的结构。
在专利文献1中,在基板的第1面上形成有螺旋形状的导体图案。在基板的第2面(与第1面相反一侧的面)上形成有走线导体。螺旋形状的导体图案的内周端和走线导体由贯通基板的通孔导体相连接。螺旋形状的导体图案的内周端经由通孔导体及走线导体与螺旋形状的导体图案的外部的电路图案相连接。
在专利文献2中,在基板的第1面形成有螺旋形状的导体图案,在该导体图案的上进一步形成走线导体(桥接导体)。在走线导体(桥接导体)与螺旋形状的导体图案重合的区域,在走线导体与螺旋形状的导体图案之间配置有绝缘层。这样的绝缘层例如通过印刷绝缘性糊料而形成。走线导体通过在绝缘层上印刷导电性糊料而形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2002-325013号公报
专利文献2:日本专利特开2001-156526号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的问题
在专利文献1记载的结构中,必须在基板上形成通孔导体,会增加工序负荷。此外,通孔导体是对贯通孔进行镀敷处理而形成的,螺旋形状的导体图案及走线导体是通过在基板表面形成图案而成的,因此,可能会发生通孔导体与螺旋形状的导体图案的连接可靠性不良、以及通孔导体与走线导体的连接可靠性不良的情况。此外,必须使用双面形成有导体的基板,基材的选择的自由度会下降。
在专利文献2记载的结构中,走线导体由导电性糊料形成,因此,例如,在使用银糊料的情况下,该银发生迁移,从而发生短路不良的可能性有所上升。此外,由于由导电性糊料来形成,因此,会使走线导体因弯曲、弯折而断裂的可能性上升。即,在专利文献2记载的结构中,存在走线导体的可靠性降低的可能性。
本实用新型的目的在于提供一种结构简单且可靠性较高的天线装置。
解决技术问题所采用的技术方案
本实用新型的天线装置具备天线线圈构件及引出用构件。天线线圈构件包含:基材,该基材具有绝缘性;螺旋形状的导体图案,该导体图案形成在基材的背面;内周端侧导体,该内周端侧导体与形成在基材的背面的螺旋形状的导体图案的内周端相连;外周端导体,该外周端导体与形成在基材的背面的螺旋形状的导体图案的外周端相连;形成在基材的表面的第1引出导体图案以及第2引出导体图案;第1端部导体,该第1端部导体与形成在基材的表面的第1引出导体图案的一端相连;以及第2端部导体,该第2端部导体与形成在基材的表面的第2引出导体图案的一端相连,内周端导体与第1端部导体夹着基材相对,外周端导体与第2端部导体夹着基材相对,俯视基材时,第1引出导体图案的另一端以及第2引出导体图案的另一端配置在螺旋形状的导体图案的内侧或外侧。
第1引出导体图案以及第2引出导体图案与螺旋形状的导体图案优选为由不同材料构成。
第1引出导体图案以及第2引出导体图案优选为由铜构成,螺旋形状的导体图案优选为由铝构成。
此外,在本实用新型的天线装置中,优选为使内周端侧导体及外周端侧导体的宽度比螺旋形状的导体图案的宽度要大。
在该结构中,能更可靠地实现内周端导体与第1端部导体的电容性耦合、以及外周端导体与第2端部导体的电容性耦合。
此外,在本实用新型的天线装置中,优选为使内周端导体与第1端部导体的相对面积和外周端导体与所述第2端部导体的相对面积大致相等。
在该结构中,能实现来自天线线圈的更为稳定的平衡输出。
此外,在本实用新型的天线装置中,优选为下面的结构。俯视时,内周端导体的面积与第1端部导体的面积互不相同,外周端导体的面积与第2端部导体的面积互不相同。
在该结构中,能抑制因引出用构件相对于天线线圈构件进行配置的位置偏差引起的电容性耦合的程度的变化(电容变化)。
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