[发明专利]改进的RF功率合成器

权利要求书

1.一种改进的RF功率合成器（1），包括：匹配电路（3），多个第一RF端口（4），恰好一个第二RF端口（7）以及壳（2），其中，匹配电路（3）布置于壳（2）的内部，其特征在于：所述多个第一RF端口（4）和所述第二RF端口（7）布置于所述壳（2）的第一侧（21）处。

2.根据权利要求1所述的改进的RF功率合成器（1），其中，所述第一RF端口（4）中的每一个经由内导体（5）之一连接到所述匹配电路（3）。

3.根据权利要求2所述的改进的RF功率合成器（1），其中，所述内导体（5）中的每一个布置于所述壳（2）的内部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的改进的RF功率合成器（1），其中，所述第二RF端口（7）经由单个传输线（6）连接到所述匹配电路（3）。

5.根据权利要求4所述的改进的RF功率合成器（1），其中，所述单个传输线（6）布置于所述壳（2）的内部。

6.根据权利要求5所述的改进的RF功率合成器（1），其中，所述单个传输线（6）在所述匹配电路（3）和所述第二RF端口（7）之间形成180度翻转。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的改进的RF功率合成器（1），其特征在于，所述壳（2）是立方形状的，并且其中，所述壳（2）的所述第一侧（21）是立方体的面之一。

8.根据权利要求7所述的改进的RF功率合成器（1），其特征在于，所述壳（2）适于可安装于19英寸机架内部。

9.根据权利要求8所述的改进的RF功率合成器（1），其特征在于，所述壳（2）包括用于将所述改进的RF功率合成器（1）安装在19英寸机架内部的安装装置（14）。

10.根据权利要求9所述的改进的RF功率合成器（1），其特征在于，所述安装装置（14）是滑动装置，并且其中，通过使滑动装置与19英寸机架的轨滑动地啮合，所述改进的RF功率合成器（1）可安装于19英寸机架内部。

11.根据权利要求9所述的改进的RF功率合成器（1），其特征在于，所述安装装置（14）是用于将所述改进的RF功率合成器（1）固定地安装于19英寸机架内部的紧固装置。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的改进的RF功率合成器（1），其中，所述多个第一端口（4）和所述第二端口（7）嵌入在所述第一侧（21）上的所述壳（2）的壁（25）中。

13.根据权利要求12所述的改进的RF合成器（1），其中，所述壳（2）的所述壁（25）连同嵌入在所述壁（25）中的所述多个第一端口（4）和所述第二端口（7）完整地围住一个体积，并且其中，所述匹配电路（3）位于所述体积中。