[发明专利]形成具有非对称外形的鳍状物结构的装置和方法

权利要求书

1.一种微电子器件结构，包括：

衬底，其包括凸起部分和非凸起部分，其中，电介质材料设置为与所述凸起部分横向邻接，并且其中，所述凸起部分的顶表面包括所述凸起部分的材料的单侧(111)刻面；

子鳍状物结构，其设置在所述凸起部分的所述顶表面上，其中，所述子鳍状物结构的底部部分包括非对称外形；

鳍状物器件结构，其设置在所述子鳍状物结构上；

栅极氧化物，其设置在所述鳍状物器件结构的一部分上；以及

栅极材料，其设置在所述栅极氧化物上。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述子鳍状物结构包括第一侧和第二侧，其中，所述第一侧和所述第二侧具有不相等的长度。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述鳍状物器件结构和所述子鳍状物结构包括选自由III族元素、IV族元素、以及V族元素组成的组中的外延材料。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述微电子器件包括选自由多栅极晶体管和栅极完全包围晶体管组成的组中的器件。

5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述子鳍状物结构的所述底部部分包括所述衬底的所述凸起部分的(111)硅平面。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述单侧(111)刻面设置为沿着所述鳍状物器件结构的长度。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衬底的所述凸起部分包括非对称外形。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述鳍状物器件结构在所述电介质材料的表面上方延伸。

9.一种电子系统，包括：

板；

附接到所述板的微电子器件，其中，所述微电子器件包括至少一个晶体管，所述至少一个晶体管包括：

衬底，其包括凸起部分和非凸起部分，其中，电介质材料设置为与所述凸起部分横向邻接，并且其中，所述凸起部分的顶表面包括所述凸起部分的材料的单侧(111)刻面；

外延子鳍状物结构，其设置在所述凸起部分上，其中，所述外延子鳍状物结构的底部部分包括非对称外形；以及

外延鳍状物器件结构，其设置在所述子鳍状物结构上。

10.根据权利要求9所述的系统，还包括：其中，所述外延子鳍状物结构的材料包括选自由氮化镓、砷化镓、磷化铟、磷化铟铝、砷化铟镓、砷化镓、砷化铟和氮化铟镓组成的组中的材料。

11.根据权利要求9所述的系统，还包括：其中，所述衬底的所述凸起部分包括第一角度和第二角度。

12.根据权利要求11所述的系统，还包括：其中，所述第一角度包括在120度与130度之间。

13.根据权利要求9所述的系统，其中，所述鳍状物器件结构的一部分包括晶体管结构的沟道区，并且其中，源极区和漏极区与所述沟道区耦合。

14.根据权利要求13所述的系统，还包括：其中，栅极氧化物设置在所述沟道区上，并且其中，栅极材料设置在所述栅极氧化物上。

15.根据权利要求9所述的系统，还包括：

通信芯片，其通信地耦合到所述微电子器件；以及

eDRAM，其通信地耦合到所述通信芯片。

16.根据权利要求9所述的系统，还包括：其中，所述子鳍状物的长度与所述子鳍状物的宽度的比值大于2:1。

17.根据权利要求9所述的系统，还包括：其中，所述子鳍状物包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁包括第一高度，所述第二侧壁包括第二高度，其中，所述第一高度长于所述第二高度。