[发明专利]用于在基板上沉积材料的组件和方法

权利要求书

1.一种用于在基板上沉积材料的组件(100)，所述组件包括：

-第一阴极(110)，所述第一阴极(110)包括第一靶材材料，

-至少一个第二阴极(120)，所述至少一个第二阴极(120)包括不同于所述第一靶材材料的至少一个第二靶材材料，以及

-电源(150)，所述电源(150)被配置成供应和控制供应至所述第一阴极(110)和所述至少一个第二阴极(120)的功率，使得能够调整所述第一靶材材料的第一溅射部分与所述至少一个第二靶材材料的至少第二溅射部分的比率。

2.如权利要求1所述的组件(100)，

其中所述电源(150)是双极或多极电源，尤其具有DC发电机和AC振荡器。

3.如权利要求1或2所述的组件(100)，

其中所述电源(150)被配置成提供中频功率，尤其具有1Hz至350kHz的振荡频率。

4.如权利要求1至3中任一项所述的组件(100)，

其中所述组件进一步包括控制器(160)，所述控制器(160)被配置成控制由以下项组成的组中的至少一个：第一功率，所述第一功率被供应至所述第一阴极(110)；至少一个第二功率，所述至少一个第二功率被供应至所述至少一个第二阴极(120)；第一功率频率，所述第一功率频率被供应至所述第一阴极(110)；至少一个第二功率频率，所述至少一个第二功率频率被供应至所述至少一个第二阴极(120)；所述第一阴极(110)的第一功率占空比；所述至少一个第二阴极(120)的至少一个第二功率占空比。

5.如权利要求1至4中任一项所述的组件(100)，

其中所述第一靶材材料包括选自由以下项组成的组中的一或多种：ITO，所述ITO包括氧化铟(In₂O₃)和二氧化锡(SnO₂)，分别地，其中氧化铟(In₂O₃)的含量的范围为从85％的下限、尤其从90％的下限、尤其从93％的下限至95％的上限、尤其至97％的上限、尤其至99％的上限，并且其中二氧化锡(SnO₂)的含量的范围为从1％的下限、尤其从3％的下限、尤其从5％的下限至15％的上限、尤其至10％的上限、尤其至7％的上限，使得氧化铟(In₂O₃)和二氧化锡(SnO₂)的量加起来达100％；ZrO₂；TiW；Al₂O₃；ZnO；TiO₂；SiO₂；Si₃N₄；SiN；TiN；Cr；Cr₂O₃；SnO₂；以及Ta₂O₅。

6.如权利要求1至5中任一项所述的组件(100)，

其中所述至少一个第二靶材材料包括选自由以下项组成的组中的一或多种：ITO，所述ITO包括氧化铟(In₂O₃)和二氧化锡(SnO₂)，分别地，其中氧化铟(In₂O₃)的含量的范围为从85％的下限、尤其从90％的下限、尤其从93％的下限至95％的上限、尤其至97％的上限、尤其至99％的上限，并且其中二氧化锡(SnO₂)的含量的范围为从1％的下限、尤其从3％的下限、尤其从5％的下限至15％的上限、尤其至10％的上限、尤其至7％的上限，使得氧化铟(In₂O₃)和二氧化锡(SnO₂)的量加起来达100％；ZrO₂；TiW；Al₂O₃；ZnO；TiO₂；SiO₂；Si₃N₄；SiN；TiN；Cr；Cr₂O₃；SnO₂；以及Ta₂O₅。